发明授权
- 专利标题： 在SiC衬底上形成的GaN基LED
- 专利标题（英）： GaN based LED formed on a SiC substrate
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申请号： CN201010156574.X申请日： 2002-06-12
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公开(公告)号： CN101834245B公开(公告)日： 2013-05-22
- 发明人: D·T·埃默森 , A·C·阿贝尔 , M·J·伯格曼
- 申请人： 克里公司
- 申请人地址： 美国北卡罗莱纳
- 专利权人： 克里公司
- 当前专利权人： 科锐LED公司
- 当前专利权人地址： 美国北卡罗莱纳
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 蔡胜有
- 优先权： 60/298,835 2001.06.15 US
- 分案原申请号： 028092058 2002.06.12
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L27/15 ; G09F9/33 ; F21S2/00 ; F21Y101/02
摘要：
本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。
公开/授权文献
- CN101834245A 在SiC衬底上形成的GaN基LED 公开/授权日：2010-09-15
IPC分类:
