发明授权
CN101871113B 一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法
- 专利标题(英): Electrochemical preparation method of electrodeposited silver iodide semiconductor film
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申请号: CN201010188759.9申请日: 2010-06-01
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公开(公告)号: CN101871113B公开(公告)日: 2012-01-04
- 发明人: 刘润 , 徐铸德 , 陈科立 , 王辉
- 申请人: 浙江大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 张法高
- 主分类号: C25D9/04
- IPC分类号: C25D9/04 ; C25D7/12
摘要:
本发明公开了一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤:1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2~3次,再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗,接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化,最后用去离子水反复冲洗;2)将0.002~2mol/L的AgNO3、0.002~2mol/L的KI、0.002~2mol/L的乙二胺四乙酸二钠盐混合,用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值至7~13,得到电解液;3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极,铂片电极作对电极,饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到碘化银半导体薄膜,相对饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1~2.5V,电沉积温度25~80℃。本发明通过电沉积一步合成具有一定取向和晶形的碘化银,并且设备简单、成本低廉,反应条件要求较低。
公开/授权文献
- CN101871113A 一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法 公开/授权日:2010-10-27