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公开(公告)号：CN102134733A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110020586.4
申请日：2011-01-18
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法。它的步骤如下：（1）用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；（2）将0.002-2mol/L的硝酸银溶于蒸馏水，加入0.1-2mol/L的氨水溶液，加入0.002-2mol/L的磷酸钠，充分搅拌；用2mol/L的硝酸溶液和1mol/L的氨水溶液调节溶液pH至7-13，最后得到澄清稳定的电解液；（3）ITO导电玻璃或硅片作为工作电极，铂片电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积，得到磷酸银光催化半导体薄膜。本发明具有工艺简单、成本低廉、反应条件温和以及制备效率高等优点。
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公开(公告)号：CN101962805B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010508884.3
申请日：2010-10-15
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种采用电沉积制备磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。包括如下步骤：1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2)0.005～0.5mol/L乙二胺四乙酸二钠与镧离子的配合物溶液中，加入磷酸钠溶液，调节pH值为4～6，得到电解液，待用；3)以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阳极沉积电位为1.2V～1.8V，得到磷酸镧薄膜。本发明的优势在于设备简单，成本低，常压低温。除了适合于科学研究外，有望实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101871113B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010188759.9
申请日：2010-06-01
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L的AgNO3、0.002～2mol/L的KI、0.002～2mol/L的乙二胺四乙酸二钠盐混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值至7～13，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到碘化银半导体薄膜，相对饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1～2.5V，电沉积温度25～80℃。本发明通过电沉积一步合成具有一定取向和晶形的碘化银，并且设备简单、成本低廉，反应条件要求较低。
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公开(公告)号：CN101871111B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010188752.7
申请日：2010-06-01
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种均匀致密碘化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L的Cu(NO3)2、0.002～2mol/L的KI、3.4×10-6～1.7×10-3mol/L的K30聚乙烯吡咯烷酮混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH至1～5，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到致密碘化亚铜半导体薄膜，相对饱和甘汞电极的电沉积电压为0.1～-0.4V，电沉积时间为1～30分钟，电沉积温度为25～80℃。本发明优势在于设备简单、成本低廉，反应条件要求较低等。
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公开(公告)号：CN101962805A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010508884.3
申请日：2010-10-15
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种采用电沉积制备磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。包括如下步骤：1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2)0.005～0.5mol/L乙二胺四乙酸二钠与镧离子的配合物溶液中，加入磷酸钠溶液，调节pH值为4～6，得到电解液，待用；3)以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阳极沉积电位为1.2V～1.8V，得到磷酸镧薄膜。本发明的优势在于设备简单，成本低，常压低温。除了适合于科学研究外，有望实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101892504A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010220120.4
申请日：2010-07-06
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种采用电沉积制备氟化锶或稀土掺杂氟化锶薄膜的方法。包括如下步骤：1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2)0.01～0.5mol/L乙二胺四乙酸二钠与锶离子的配合物溶液中，加入抗坏血酸钠，再加入氟化铵溶液，调节pH值为6～9，得到电解液，待用；3)以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阳极沉积电位为0.8V～1.4V，得到氟化锶薄膜。本发明的优势在于设备简单，低成本，常压低温。除了适合于科学研究外，有望实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102140662B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110020593.4
申请日：2011-01-18
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种采用电沉积制备NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料的方法。它的步骤如下：1) 用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在10%的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2) 向0.003～0.3 mol/L乙二胺四乙酸二钠与摩尔比为75～94:5～20:1～5的钇离子、镱离子和饵离子形成的配合物溶液中，加入抗坏血酸钠，再加入氟化钠溶液，调节pH值为5～7，得到电解液，待用；3) 以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极进行电沉积，制得的薄膜进行退火。本发明具有设备简单、成本低、沉积速率快、材料生长温度低、可以在常温常压下操作的特点，有望进行工业化生产。
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公开(公告)号：CN101871112B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010188755.0
申请日：2010-06-01
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种室温下合成高温相碘化亚铜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L Cu(NO3)2、0.002～2mol/L的KI、0.002～2mol/L乙二胺四乙酸二钠盐、3.4×10-6～1.7×10-3mol/L的K30聚乙烯吡咯烷酮混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值1～5，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到高温相碘化亚铜，电沉积电压为0.1V～-0.5V，电沉积温度25～80℃。本发明通过电沉积室温下得到高温相碘化亚铜，设备简单、成本低廉，反应条件要求较低。
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公开(公告)号：CN101871114B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010188743.8
申请日：2010-06-01
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种采用电沉积制备氟化钙或稀土掺杂氟化钙薄膜的方法。包括如下步骤：1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2)0.01～1mol/L乙二胺四乙酸二钠与钙离子的配合物溶液中，加入抗坏血酸钠，再加入氟化铵溶液，调节pH值为6～9，得到电解液，待用；3)以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阳极沉积电位为0.8V～1.4V，得到氟化钙薄膜。本发明的优势在于设备简单，低成本，常压低温。除了适合于科学研究外，有望实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101871112A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010188755.0
申请日：2010-06-01
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种室温下合成高温相碘化亚铜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L Cu(NO3)2、0.002～2mol/L的KI、0.002～2mol/L乙二胺四乙酸二钠盐、3.4×10-6～1.7×10-3mol/L的K30聚乙烯吡咯烷酮混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值1～5，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到高温相碘化亚铜，电沉积电压为0.1V～-0.5V，电沉积温度25～80℃。本发明通过电沉积室温下得到高温相碘化亚铜，设备简单、成本低廉，反应条件要求较低。
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