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发明授权
CN101884110B 氧化物半导体薄膜晶体管 失效 - 权利终止 复审申请

  • 专利标题： 氧化物半导体薄膜晶体管
  • 专利标题（英）： Oxide semiconductor thin-film transistor
  • 申请号： CN200880118787.4
    申请日： 2008-11-27
  • 公开(公告)号： CN101884110B
    公开(公告)日： 2014-11-05
  • 发明人: 岛田干夫
  • 申请人： 佳能株式会社
  • 申请人地址： 日本东京
  • 专利权人： 佳能株式会社
  • 当前专利权人： 佳能株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本东京
  • 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
  • 代理商 魏小薇
  • 优先权： 2007-313578 2007.12.04 JP
  • 国际申请： PCT/JP2008/071990 2008.11.27
  • 国际公布： WO2009/072533 EN 2009.06.11
  • 进入国家日期： 2010-06-01
  • 主分类号： H01L29/786
  • IPC分类号： H01L29/786
氧化物半导体薄膜晶体管
摘要：
本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，该晶体管包含：基板上的栅电极、栅绝缘层、包含非晶氧化物的半导体层、源漏电极、以及保护层。所述半导体层包含与形成有所述源漏电极的区域相对应的第一区域和不与形成有所述源漏电极的区域相对应的第二区域。至少所述第一区域包含组分与第二区域中的非晶氧化物的组分不同的结晶成分。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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