本发明公开了一种图像传感器及半导体制造工艺。本发明实施例关于双重浅沟槽隔离。在关于互补式金属-氧化物-半导体图像传感器技术的不同实施例中，双重STI表示一STI结构位于像素区，而另一STI结构位于周边或逻辑区。每一STI结构的深度取决于每一区中装置的需求及/或隔离容限。在一实施例中，像素区采用NMOS装置且此区的STI结构浅于周边区的STI结构，周边区采用NMOS装置及PMOS装置，具有P型及N型阱且需要更佳防护的隔离(即，较深的STI)。取决于实施方式，本发明不同方法实施例可采用不同数量的掩模层(例如，二或三个)来制作双重STI。本发明可以降低暗电流漏电，因而改善暗信号效能。