发明授权
CN101935846B 以硅石为原料制备太阳能级硅的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 以硅石为原料制备太阳能级硅的方法
- 专利标题(英): Method for preparing solar grade silicon from silica serving as raw material
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申请号: CN201010276318.4申请日: 2010-09-09
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公开(公告)号: CN101935846B公开(公告)日: 2012-03-21
- 发明人: 马文会 , 秦博 , 魏奎先 , 谢克强 , 杨斌 , 陈家辉 , 周阳 , 徐宝强 , 刘大春 , 伍继君 , 曲涛 , 刘永成 , 陈建云 , 戴永年
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 代理机构: 昆明正原专利代理有限责任公司
- 代理商 徐玲菊
- 主分类号: C25B1/00
- IPC分类号: C25B1/00 ; C01B33/037
摘要:
本发明提供一种以硅石为原料制备太阳能级硅的方法,以硅石为原料,以CaCl2为熔盐电解质,在600~1000℃下通过熔盐电解质进行还原,使硅石中的元素硅被直接电解还原成单质硅;在单质硅中,按1∶3~9的质量比添加化合物,并在600~1200℃下通入保护性气体进行结晶处理;再按1∶1~8的固液质量比,将结晶硅置于浓度为1~5mol/L的盐酸液中,酸浸2~48小时;用水洗涤2~5次后在40~150℃下进行干燥;将干燥后的硅置于1450~1650℃下进行熔化后,在温度为1600~1650℃、压力为1×10-2~10Pa的真空条件下进行真空蒸发;蒸发后的熔体硅以0.1~5mm/h的冷凝速率冷凝后,即得太阳能级硅。本发明先通过还原去除氧、磷、铝、钙、钛等杂质,再经高温结晶、酸浸除硼,使产品纯度超过99.99991%,且生产流程短,成本低,环境污染小。
公开/授权文献
- CN101935846A 以硅石为原料制备太阳能级硅的方法 公开/授权日:2011-01-05