以硅石为原料制备太阳能级硅的方法
摘要:
本发明提供一种以硅石为原料制备太阳能级硅的方法,以硅石为原料,以CaCl2为熔盐电解质,在600~1000℃下通过熔盐电解质进行还原,使硅石中的元素硅被直接电解还原成单质硅;在单质硅中,按1∶3~9的质量比添加化合物,并在600~1200℃下通入保护性气体进行结晶处理;再按1∶1~8的固液质量比,将结晶硅置于浓度为1~5mol/L的盐酸液中,酸浸2~48小时;用水洗涤2~5次后在40~150℃下进行干燥;将干燥后的硅置于1450~1650℃下进行熔化后,在温度为1600~1650℃、压力为1×10-2~10Pa的真空条件下进行真空蒸发;蒸发后的熔体硅以0.1~5mm/h的冷凝速率冷凝后,即得太阳能级硅。本发明先通过还原去除氧、磷、铝、钙、钛等杂质,再经高温结晶、酸浸除硼,使产品纯度超过99.99991%,且生产流程短,成本低,环境污染小。
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