发明公开
CN101944646A 一种集成微带环行器及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种集成微带环行器及其制备方法
- 专利标题(英): Integrated microstrip circulator and preparation method thereof
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申请号: CN201010227245.X申请日: 2010-07-15
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公开(公告)号: CN101944646A公开(公告)日: 2011-01-12
- 发明人: 钟智勇 , 刘爽 , 张怀武 , 唐晓莉 , 荆玉兰 , 贾利军 , 白飞明 , 苏桦
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 葛启函
- 主分类号: H01P1/387
- IPC分类号: H01P1/387 ; H01P11/00
摘要:
一种集成微带环行器,属于电子技术领域。包括微波介质基片上的金属底电极、纳米线铁磁复合介质、绝缘层和微带环行器Y结;所述纳米线铁磁复合介质由铁磁金属纳米线和三氧化二铝复合而成,其中三氧化二铝具有纳米级多孔结构,而铁磁金属纳米线是经电镀工艺填充于三氧化二铝的纳米孔洞中。制备时,先在微波介质基片上沉积金属底电极和金属铝膜,然后对金属铝膜进行二次阳极氧化处理,再通过电镀工艺在三氧化二铝的纳米孔洞中填充铁磁金属纳米线,最后制作环形器所需Y结。本发明采用铁磁金属与多孔三氧化二铝复合的纳米线铁磁复合介质作为微带环形器的自偏置磁性介质,可提高微带环形器的工作频率、缩小其体积和减轻其重量;同时,所述微带环形器的制备工艺可与微波集成电路工艺相兼容。
公开/授权文献
- CN101944646B 一种集成微带环行器及其制备方法 公开/授权日:2013-01-09