- 专利标题: 含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用
- 专利标题(英): Amido-containing neutral cathode buffer layer molecular material and preparation method and application thereof
-
申请号: CN201010204674.5申请日: 2010-06-18
-
公开(公告)号: CN101948395B公开(公告)日: 2013-07-24
- 发明人: 朱旭辉 , 刘刚 , 杨伟 , 曹镛
- 申请人: 华南理工大学
- 申请人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人: 广东聚华印刷显示技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 何淑珍
- 主分类号: C07C217/16
- IPC分类号: C07C217/16 ; C07C213/02 ; H01L51/54
摘要:
本发明公开了含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用。该材料在化学结构上以苯为中心,制备时通过接入刚性端基并调节胺基的种类,使得所制备的阴极缓冲层材料兼具醇溶性和非晶态特性,具有电子注入/传输功能。这样,该阴极缓冲层材料可通过醇溶液旋涂法制备均匀薄膜,且可不破坏以醇溶剂为不良溶剂的发光薄膜层。同时,在使用此类阴极缓冲层材料后,电致发光器件性能比单独使用铝电极时的器件性能大幅提高,从而可避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极。
公开/授权文献
- CN101948395A 含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 公开/授权日:2011-01-19