含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用
摘要:
本发明公开了含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用。该材料在化学结构上以苯为中心,制备时通过接入刚性端基并调节胺基的种类,使得所制备的阴极缓冲层材料兼具醇溶性和非晶态特性,具有电子注入/传输功能。这样,该阴极缓冲层材料可通过醇溶液旋涂法制备均匀薄膜,且可不破坏以醇溶剂为不良溶剂的发光薄膜层。同时,在使用此类阴极缓冲层材料后,电致发光器件性能比单独使用铝电极时的器件性能大幅提高,从而可避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极。
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