发明授权
- 专利标题: TFT-LCD阵列基板及其制造方法
- 专利标题(英): TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) array baseplate and manufacturing method thereof
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申请号: CN200910089402.2申请日: 2009-07-17
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公开(公告)号: CN101957530B公开(公告)日: 2013-07-24
- 发明人: 刘翔
- 申请人: 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 专利权人: 北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理事务所
- 代理商 张颖玲; 程立民
- 主分类号: G02F1/1362
- IPC分类号: G02F1/1362 ; G02F1/1368 ; H01L21/82
摘要:
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线,所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅电极与所述像素电极同层设置,并由透明导电薄膜制成,所述透明导电薄膜的厚度为本发明栅电极采用透明导电薄膜材料,由于透明导电薄膜很薄,使栅电极两侧斜坡坡度角的差异对漏电极与栅电极之间重叠面积的影响很小,因此减小了不同位置处薄膜晶体管寄生电容的差异,有效减小了TFT-LCD阵列基板上各薄膜晶体管跳变电压ΔVp的差异,减弱了由于跳变电压差异引起的显示画面闪烁现象,提高了TFT-LCD的显示质量。
公开/授权文献
- CN101957530A TFT-LCD阵列基板及其制造方法 公开/授权日:2011-01-26
IPC分类: