公开(公告)号：CN101957530B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910089402.2

申请日：2009-07-17

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L33/08 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L33/44

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述像素电极同层设置，并由透明导电薄膜制成，所述透明导电薄膜的厚度为本发明栅电极采用透明导电薄膜材料，由于透明导电薄膜很薄，使栅电极两侧斜坡坡度角的差异对漏电极与栅电极之间重叠面积的影响很小，因此减小了不同位置处薄膜晶体管寄生电容的差异，有效减小了TFT-LCD阵列基板上各薄膜晶体管跳变电压ΔVp的差异，减弱了由于跳变电压差异引起的显示画面闪烁现象，提高了TFT-LCD的显示质量。

公开(公告)号：CN101957526B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910088291.3

申请日：2009-07-13

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层，源电极和漏电极分别通过欧姆接触层与半导体层连接。制造方法包括：形成包括像素电极、栅线和栅电极的图形；形成包括栅绝缘层和半导体层的图形，且半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层；形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，源电极和漏电极分别通过欧姆接触层与半导体层连接。本发明避免了过刻半导体层和物理轰击半导体层表面的工艺，通过采用厚度较薄的半导体层，大幅度提高了TFT-LCD阵列基板的性能。

公开(公告)号：CN101819361B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910078374.4

申请日：2009-02-26

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的透明材质的存储电极和使相邻像素区域内的存储电极相互连接的连接电极。本发明通过在像素区域内形成由透明导电薄膜构成的存储电极，因此可以根据实际需要通过改变存储电极的面积来设计合适的存储电容，这样就保证了充足的存储电容余量，可以有效地减少跳变电压ΔVp，提高显示质量。进一步地，本发明采用透明的存储电极还可以有效提高开口率和显示亮度，从整体上提高了显示质量。

公开(公告)号：CN101814511B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910078446.5

申请日：2009-02-23

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 陈旭 ,  林承武 ,  谢振宇 ,  刘翔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/124

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述数据线为具有使上下相邻像素区域的耦合电容产生相反变化的镜面对称结构。本发明通过将数据线设置成镜面对称结构，当像素电极发生偏移时，由于数据线的镜面对称结构，上下相邻像素区域的耦合电容Cpd会产生互为相反的变化，从而在画面品质上消除了宏观上的显示不均匀情况，有效防止了白色带状水印或黑色带状水印的发生，提高了画面品质。此外，本发明提高了工艺自由度。

公开(公告)号：CN101770121B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810241197.2

申请日：2008-12-26

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中方法包括：步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和阻挡薄膜，通过第二次构图工艺形成半导体层和阻挡层的图形，该阻挡层用于阻止半导体层被刻蚀；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触薄膜、透明导电薄膜、源漏金属薄膜和钝化薄膜，通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极、TFT沟道、数据线、像素电极和钝化层的图形。本发明采用三次构图工艺，通过在半导体层和欧姆接触层之间夹设阻挡层，能够减小半导体层的厚度，减小TFT的关态电流，提高TFT的性能。

公开(公告)号：CN102033343B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200910093194.3

申请日：2009-09-25

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  刘翔 ,  陈旭

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/501 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0769

摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有电路图案，其中还包括覆盖层，覆盖电路图案的上表面和侧面。该制造方法包括在衬底基板上沉积电路图案薄膜，并对电路图案薄膜进行构图工艺形成电路图案的步骤，其中还包括：在形成电路图案的衬底基板上沉积覆盖层薄膜，并对覆盖层薄膜进行构图工艺形成包括覆盖层的图案，覆盖层覆盖电路图案的上表面和侧面。本发明采用覆盖层覆盖电路图案上表面和侧面的技术手段，使电路图案采用易扩散金属制备时，也能够减少甚至避免向侧面绝缘层中扩散的问题，不会影响绝缘层的性能。

公开(公告)号：CN101840149B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910080568.8

申请日：2009-03-20

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  林承武 ,  陈旭 ,  郭建 ,  刘翔

IPC分类号： G03F1/38

摘要： 本发明涉及一种掩膜板及其制造方法和掩膜曝光方法。该掩膜板上包括遮光图案和透光区域，遮光图案包括变形图案，变形图案采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成。该制造方法包括：在衬底基板上形成变形图案，且变形图案的材质为磁致伸缩材料或电致伸缩材料。该掩膜曝光方法包括：当采用掩膜板进行曝光时，在掩膜板上施加设定方向和/或设定大小的磁场或电场，以使掩膜板上的变形图案伸缩变形来改变透光区域的形状和/或尺寸。本发明可以减少重新制造掩膜板的需求。

公开(公告)号：CN102290413A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201010208740.6

申请日：2010-06-17

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  刘圣烈 ,  薛建设

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/43 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，其中，阵列基板包括衬底基板，以及形成在衬底基板上的栅线、数据线和遮光层，栅线和数据线围设成像素区域，像素区域内形成有透明像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，源电极连接数据线，漏电极连接透明像素电极；栅电极形成在所述遮光层的上方，并通过过孔与栅线连接；栅电极与透明像素电极同层且为同材料。本发明可以大幅度地减弱因曝光工艺引起的栅漏寄生电容的变化，从而降低由栅漏寄生电容引起的ΔVp变化，也改善了同一玻璃基板上的不同位置处ΔVp的差异，方便驱动电路对ΔVp的调节，减弱了显示画面产生闪烁，提高了产品性能。

公开(公告)号：CN102270604A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010197076.X

申请日：2010-06-03

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  刘圣烈 ,  薛建设

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

摘要： 本发明的实施例公开了一种阵列基板的结构及其制作方法。涉及液晶显示器的制造工艺，解决了现有技术中采用四次光刻工艺制造阵列基板生产效率低的问题。本实施例中的阵列基板的结构主要包括像素电极图案和栅图案，所述栅图案包括栅极扫描线和薄膜晶体管的栅极，所述栅极扫描线和栅极均包括依次沉积在基板上的透明导电金属层和栅金属层，所述像素电极图案中的每个像素电极包括透明导电金属层；所述像素电极图案和栅图案上沉积有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成有与所述栅极对应的有源层图案、以及露出所述像素电极的栅绝缘层过孔；所述栅极绝缘层上还设有源/漏图案等。本发明实施例主要应用于液晶显示器相关领域。

公开(公告)号：CN102034750A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910093197.7

申请日：2009-09-25

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L29/24 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L27/124

摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该方法包括：通过构图工艺，形成数据线和栅扫描线以及栅电极，且数据线或栅扫描线为断续设置；通过构图工艺，形成有源层、跨接过孔和源电极过孔；通过构图工艺，形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案，像素电极与漏电极的图案一体成型，源电极通过源电极过孔与数据线相连，跨接线通过跨接过孔连接断续且相邻的数据线或栅扫描线。本发明采用将数据线和栅扫描线同层形成的技术手段，能够实现最少以三次光刻工艺制备阵列基板，提高了生产效率，降低了生产成本。