本发明提供一种深硅刻蚀方法，首先刻蚀未被光阻层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，还包括以下步骤：沉积步骤：进行各向同性沉积，以在刻蚀面、侧壁和所述光阻层的表面覆盖阻挡层；第一刻蚀步骤：进行各向异性刻蚀，以去除所述刻蚀面上覆盖的阻挡层而使所述刻蚀面暴露，而所述光阻层被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀；第二刻蚀步骤：进行各向同性刻蚀，以刻蚀所述暴露的刻蚀面，所述侧壁被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀，而所述光阻层在该各向同性刻蚀中不受损伤；循环重复所述沉积步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度。所述方法不需要使用低频脉冲电源等复杂的设备，有利于设备的维护和降低设备成本。