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公开(公告)号：CN118610118A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410634622.3
申请日：2024-05-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种清洗槽结构及槽式清洗设备，清洗槽结构包括：内槽；外槽，沿所述内槽的外壁设置；多对注液管，每对所述注液管对称分布在所述内槽外侧的相对两侧，同一侧的所述注液管相互平行并且沿竖直方向排列，所述注液管用于向所述内槽注入清洗夜，其中，位于最下方的一对注液管沿所述内槽的槽底注入所述清洗夜，位于最上方的一对注液管的注液方向为斜向下。本申请内槽中两个流场从上至下具有均匀的流速，从而可以提高刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN118610085A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410733347.0
申请日：2024-06-06
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本申请提供了一种形成沟槽结构的方法及半导体工艺设备，该方法包括执行第一刻蚀步骤，对待刻蚀膜层暴露出的表面进行刻蚀，以在待刻蚀膜层的顶部形成圆弧状的第一沟槽；第一沟槽的靠近掩膜层的开口宽度大于掩膜开口的开口宽度；执行第二刻蚀步骤，对第一沟槽的内侧进行刻蚀，以将第一沟槽刻蚀成第二沟槽，第二沟槽包括位于上部的圆弧状轮廓和位于下部的斜坡状轮廓；执行第三刻蚀步骤，对第二沟槽的内侧进行刻蚀，以在第二沟槽的下方形成第三沟槽，第三沟槽与第二沟槽相连通。采用本方案形成沟槽结构，有利于控制圆弧状轮廓和斜坡状轮廓构成的斜坡的倾斜角度，使斜坡满足防止尖端放电和防止后续填充出现堵口的需求。
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公开(公告)号：CN118610060A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410634738.7
申请日：2024-05-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种电极引入装置和半导体加工设备，包括第一电极组件和第二电极组件，二者均包括导电支撑件和电极连接件，其中，导电支撑件用于可相对转动的套设于半导体加工设备的工艺腔体内的用于承载载片舟的支撑柱上，且具有用于支撑并电接触载片舟对应的舟脚的支撑面；在载片舟对应的舟脚置于支撑面时，导电支撑件能够自适应性地转动，以使支撑面与舟脚相贴合；电极连接件设置于工艺腔体中，且电极连接件的一端用于与射频电源的正极或负极电连接，电极连接件的另一端与导电支撑件电导通，且接触配合，用以将导电支撑件限制在预设角度范围内。本方案可以解决因电极块产生角度偏转而引起的在电极块与舟脚的接触位置存在间隙的问题。
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公开(公告)号：CN118555728A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310174346.2
申请日：2023-02-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了线圈装置、工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述线圈装置包括：座体、第一线圈、第二线圈、多个第一支座、第一连接件和第二连接件；座体、第一线圈和第二线圈沿预设方向依次层叠分布，多个第一支座沿第一线圈的环绕方向分布于座体，第一支座包括沿预设方向相对设置的第一连接部和第二连接部；第一连接件沿预设方向穿设于第一线圈和第一连接部，以将第一线圈固定连接于第一连接部的朝向第二连接部的部位；第二连接件沿预设方向穿设于第二线圈和第二连接部，以将第二线圈固定连接于第二连接部的朝向第一连接部的部位。所述线圈装置能够提升第一线圈与第二线圈之间的电场的均匀性。
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公开(公告)号：CN118550251A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310211764.4
申请日：2023-02-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 张毅
IPC分类号： G05B19/418
摘要： 本申请公开了一种物料调度方法和半导体工艺设备，所述方法包括：遍历待调度的所有物料，获取各物料的状态信息；根据各物料的状态信息，从所有物料中确定出允许被调度至下一位置的多个第一物料，并生成多个第一物料对应的调度任务列表；针对每个第一物料，根据第一物料对应的调度任务，更新第一物料的状态信息；从调度任务列表中筛选出满足第一预设条件的调度任务，作为本次待执行的目标调度任务；第一预设条件包括以下中的至少一项：执行本次调度任务的传输装置与上次调度任务的传输装置不同；传输装置向上次调度任务的调度起始位置执行放置物料的调度任务；总工艺剩余时间最短的物料的调度任务。
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公开(公告)号：CN118547258A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410592739.X
申请日：2024-05-13
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/50 , H01L21/687
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其包括：腔体、屏蔽件、挡环、压环组件和支撑组件；屏蔽件承载于腔体的上端部，腔体接地，屏蔽件套设于腔体内，挡环和压环组件均套设于屏蔽件内，压环组件承载于屏蔽件，挡环罩设于压环组件上方，挡环承载于屏蔽件，支撑组件用于承载晶圆；在支撑组件上升至工艺位置的情况下，支撑组件托起压环组件，压环组件的内侧边缘压盖于晶圆的周缘，压环组件分别与挡环和屏蔽件绝缘分隔。半导体工艺腔室的挡环可以对压环起到遮挡作用，以防止压环上堆积过多电荷；且压环能够在工艺流程结束后释放电荷，可以避免压环与晶圆之间发生打火现象。
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公开(公告)号：CN118538637A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410594902.6
申请日：2024-05-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种排气系统及半导体工艺设备，排气系统包括转接部、冷凝流路及控压阀，转接部具有用于与工艺腔室的排气口连通的进气端，用于排出工艺排气的出气端以及用于排出冷凝液体的出液端；冷凝流路具有与转接部的出气端连接的上游端，和用于排出工艺排气的下游端，冷凝流路包括多个流通段和至少一个弯折段，各相邻两个流通段通过一弯折段首尾连接，使得流经冷凝流路的工艺排气由上游端至下游端至少改变一次流动方向；且与转接部的出气端连接的流通段自出气端向上方延伸。该排气系统有利于减少流入控压阀内部的水蒸气气量，降低水蒸气在控压阀内冷凝对控压阀带来的不良影响，确保控压阀的精度和控压稳定性。
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公开(公告)号：CN115910733B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110943777.1
申请日：2021-08-17
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，工艺腔室上方设有进气通路；固定介质窗，设置于工艺腔室顶部，外缘与工艺腔室的腔室壁密封连接，固定介质窗上设有沿竖直方向贯穿固定介质窗并连通进气通路与工艺腔室内部的进气孔；射频线圈，设置于固定介质窗上方，环绕工艺腔室的进气通路设置；线圈驱动机构，设置于线圈的上方，用于驱动射频线圈沿竖直方向升降运动；多个可移动介质窗，在竖直方向位于固定介质窗与线圈之间，且能够在固定介质窗的顶面所在平面水平移动；水平驱动机构，与可移动介质窗连接，用于驱动多个可移动介质窗沿水平方向同步向靠近固定介质窗的方向运动或同步向远离固定介质窗的方向运动。提高等离子体的均匀性。
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公开(公告)号：CN112735980B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011559358.X
申请日：2020-12-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 李文杰
摘要： 本发明提供一种半导体清洗工艺的控制方法，应用于半导体清洗设备，该半导体清洗设备用于通过清洗液清洗硅片，该控制方法包括：获取硅片清洗数量；当硅片清洗数量达到清洗液中至少一种成分对应的清洗数量节点时，增加清洗液中对应成分的含量。在本发明提供的控制方法中，对清洗液中的成分对应的硅片清洗数量与事先测得的该成分对应的清洗数量节点进行比较，并根据清洗数量节点确定是否需要增加清洗液中该成分的含量，从而可以在多次循环进行的清洗工艺中对清洗液中该成分的含量进行多次增补，进而提高了清洗液中各溶质成分的利用率，延长了清洗液的使用寿命。本发明还提供一种半导体清洗设备。
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公开(公告)号：CN107610999B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201710749263.6
申请日：2017-08-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种下电极机构及反应腔室，其包括基座，在基座与腔室底壁之间设置有绝缘环，以在基座的底面的边缘区域与腔室底壁之间形成等效电容，该等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。本发明提供的下电极机构，可以实现对下电极机构对地电容的调节，从而可以使型号相同的工艺设备的一致性满足要求。
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