发明授权
CN101971285B 高频三极管型场致发射器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高频三极管型场致发射器件及其制造方法
- 专利标题(英): High frequency triode-type field emission device and process for manufacturing same
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申请号: CN200780102391.6申请日: 2007-12-28
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公开(公告)号: CN101971285B公开(公告)日: 2013-10-23
- 发明人: 阿尔多·迪卡洛 , 克劳迪奥·保罗尼 , 埃莱奥诺拉·彼得罗拉蒂 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 里卡尔多·里奇泰利
- 申请人: 塞莱斯系统集成公司
- 申请人地址: 意大利罗马
- 专利权人: 塞莱斯系统集成公司
- 当前专利权人: 塞莱斯系统集成公司
- 当前专利权人地址: 意大利罗马
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 国际申请: PCT/IT2007/000931 2007.12.28
- 国际公布: WO2009/084054 EN 2009.07.09
- 进入国家日期: 2010-08-27
- 主分类号: H01J21/10
- IPC分类号: H01J21/10 ; H01J21/20
摘要:
本发明公开了一种三极管型场致发射器件(11),具体用于高频应用,具有阴极电极(12)、与阴极电极(12)隔开的阳极电极(14)、设置在阳极电极(14)和阴极电极(12)之间的控制栅电极(13)、以及至少一个场致发射尖端(19);阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)在三极管区(11a)中的场致发射尖端(19)处重叠并用于与场致发射尖端共同作用,以在三极管区中产生电子束。在三极管区(11a)外部,阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)不重叠,并具有沿着各条线(x,y,z)的主延伸方向;各条线(x,y,z)中的每一条相对于其余线中的每一条以非零角度倾斜。
公开/授权文献
- CN101971285A 高频三极管型场致发射器件及其制造方法 公开/授权日:2011-02-09