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公开(公告)号：CN101908455A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910069168.7
申请日：2009-06-05
申请人： 天津市全尔真电子管技术有限公司
IPC分类号： H01J21/20
摘要： 本发明公开一种实现高保真小功率电压放大双三极电子管的方法。它适用于家庭音响设备中的保真小功率电压放大三极电子管。其阳极本身具有吸收外界音频信号的能力，其灯丝可以减少50赫兹交流电场噪音，加长阴极套管长度来降低其工作温度，采用灯丝阴极组合式结构和上、下云母片与管壳内壁紧配合来，以防止电子管工作时产生机械震动而影响音频保真度。它主要包括单螺旋式灯丝13、圆筒式阴极4、由涂银的钼丝15和镍边杆5制成的椭圆式栅极、上面有椭圆形漏斗式阱孔12的铁镍合金平板箱体式阳极8、周边有凸角17的云母片6、10。有益效果可使电子音响设备及电子乐器设备的音质高保真，音响背景干净、低噪声、无麦克风效应。
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公开(公告)号：CN118263071A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211676005.7
申请日：2022-12-26
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请提供一种真空三极管及其制作方法、电子器件及电子设备，涉及三极管技术领域，提供了一种采用表面隧穿电子源(即发射体)的片上微型真空三极管。该真空三极管包括衬底以及设置在衬底上的第一绝缘层、第二绝缘层、驱动电极、栅极、收集电极。其中，第一绝缘层和第二绝缘层分布在衬底的表面，且第一绝缘层和第二绝缘层之间形成有真空沟道区。驱动电极设置于第一绝缘层表面、且靠近真空沟道区一侧的边缘区域。栅极和收集电极设置在第二绝缘层的表面。第一绝缘层在靠近真空沟道区的侧面具有表面隧穿电子源；表面隧穿电子源与驱动电极和衬底均电连接，且表面隧穿电子源与收集电极相对设置。
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公开(公告)号：CN101800144B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910105412.0
申请日：2009-02-09
申请人： 深圳市槟城电子有限公司
发明人： 蔡锦波
IPC分类号： H01J21/20
摘要： 本发明公开了一种集成的气体放电管，其特征在于：包括一具密闭腔体的本体，腔体内设置有多个放电管，放电管的连接脚与本体表面的金属电性连接；集成的气体放电管将放电管集成后能减小体积，且能保证个放电管之间较高的一致性，并能有效的降低传统的单个放电管使用的损坏机率。
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公开(公告)号：CN114639580A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210248416.X
申请日：2022-03-14
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开一种集成真空电子管器件结构及其制备方法，器件结构包含衬底、阴极、第一绝缘层、第一栅极、第二绝缘层、第二栅极、第三绝缘层和阳极；阴极垂直于衬底表面；衬底、第一绝缘层、第一栅极、第二绝缘层、第二栅极、第三绝缘层和阳极由下往上无间隙层叠；第一栅极为具有火山口状微孔的电极，第二栅极为具有火山口状微孔的电极或具有微孔的平铺电极，第二栅极顶端与第一栅极顶端的高度差为200nm～1000nm，且第二栅极微孔孔径大于第一栅极微孔孔径；阴极位于第一栅极、第二栅极微孔中心；第二栅极电位设置不低于第一栅极电位。
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公开(公告)号：CN104246960A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280057923.X
申请日：2012-11-26
申请人： 塞莱斯ES股份有限公司
发明人： 贾科莫·乌利塞 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 阿尔多·迪卡洛 , 费迪南多·里奇 , 菲利波·杰玛 , 安娜·玛丽亚·菲奥雷洛 , 马西米利亚诺·迪斯彭扎 , 罗伯塔·布蒂廖内
CPC分类号： H01J19/24 , H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J19/32 , H01J19/38 , H01J19/46 , H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明涉及一种器件(11,21)，其包括：阴极(14)，该阴极位于阴极平面上并且在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的一个或多个阴极直指状端子(14b)；对于每个阴极端子(14b)而言，一个或多个电子发射器(14c)形成在所述阴极端子(14b)上并且与之欧姆接触；以及栅电极(15)，该栅电极(15)位于平行于所述阴极平面并与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，栅电极不与阴极(14)重叠，并且栅电极在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的两个或更多个栅极直指状端子(15b)；其中，栅极端子(15b)与所述阴极端子(14b)交错。
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公开(公告)号：CN101971285B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200780102391.6
申请日：2007-12-28
申请人： 塞莱斯系统集成公司
发明人： 阿尔多·迪卡洛 , 克劳迪奥·保罗尼 , 埃莱奥诺拉·彼得罗拉蒂 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 里卡尔多·里奇泰利
CPC分类号： H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明公开了一种三极管型场致发射器件(11)，具体用于高频应用，具有阴极电极(12)、与阴极电极(12)隔开的阳极电极(14)、设置在阳极电极(14)和阴极电极(12)之间的控制栅电极(13)、以及至少一个场致发射尖端(19)；阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)在三极管区(11a)中的场致发射尖端(19)处重叠并用于与场致发射尖端共同作用，以在三极管区中产生电子束。在三极管区(11a)外部，阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)不重叠，并具有沿着各条线(x，y，z)的主延伸方向；各条线(x，y，z)中的每一条相对于其余线中的每一条以非零角度倾斜。
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公开(公告)号：CN109860002A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811621896.X
申请日：2018-12-28
申请人： 北京航空航天大学 , 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明实施例公开一种太赫兹真空三极管及其制造方法。其中，所述太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，所述真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，在真空通道层设置真空通道，真空通道贯穿第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，所述门控制极设置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之间，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述门控制极和所述阳极之间设置所述第一绝缘材料层，所述门控制极和所述光阴极之间设置所述第二绝缘材料层，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔。本发明实施例提供的太赫兹真空三极管及其制造方法，延长了太赫兹真空三极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109817501A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811621965.7
申请日：2018-12-28
申请人： 北京航空航天大学 , 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明实施例公开一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法。其中，所述阵列式太赫兹真空三极管器件包括衬底和在衬底上呈阵列排布的多个太赫兹真空三极管，每个太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，阳极设置在衬底上，真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，真空通道贯穿第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，门控制极设置在第一绝缘材料层和第二绝缘材料层之间，光阴极和阳极设置在真空通道的两端，门控制极和阳极之间设置第一绝缘材料层，门控制极和光阴极之间设置第二绝缘材料层。本发明实施例提供的阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法，延长了阵列式太赫兹真空三极管器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103400737A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310327183.3
申请日：2011-08-16
申请人： 金海平
发明人： 金海平
摘要： 本发明提供了一种改良结构的真空间隙管，属于高压电气技术领域。它解决了现有改良结构的真空间隙管不存在过电压保护功能的技术问题。本改良结构的真空间隙管，包括内部具有空腔的壳体，其特征在于，所述的壳体内的空腔是处于真空状态的，在壳体的空腔内设置有导电杆一和导电杆二，所述的导电杆一的一端穿出壳体的一端，且与壳体密封设置，导电杆一的另一端与导电杆二的一端邻近且不接触，所述的导电杆二的另一端穿出壳体的另一端，且与壳体密封设置。本发明具有保护效果好、绝缘性能高、使用寿命长等优点。
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