- 专利标题: N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构
- 专利标题(英): Packaging structure of N substrate diode half bridges with common anodes in TO-220
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申请号: CN201010269466.3申请日: 2010-09-02
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公开(公告)号: CN101982875B公开(公告)日: 2013-02-27
- 发明人: 徐永才
- 申请人: 品捷电子(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市金阊区新益工业小区
- 专利权人: 品捷电子(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 品捷电子(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市金阊区新益工业小区
- 代理机构: 南京苏科专利代理有限责任公司
- 代理商 王玉国; 陈忠辉
- 主分类号: H01L23/15
- IPC分类号: H01L23/15 ; H01L23/34 ; H01L23/52
摘要:
本发明提供一种N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构,包括一块绝缘导热的氧化铝陶瓷基板,氧化铝陶瓷基板的正面设置有两块相互独立的金属层,氧化铝陶瓷基板的反面设置有至少一块金属层,氧化铝陶瓷基板反面的金属层与散热板相连接,氧化铝陶瓷基板正面的两块金属层分别与左侧引线和右侧引线相连接,两只二极管的N极分别连接在左侧引线和右侧引线上,为两个阴极,两只二极管的P极分别通过铝线连接在中间引线上,为共阳极。其工艺简单、制造难度低、良品率及可靠性稳定,且二极管的有效散热量高,适用于用N基材二极管组装成共阳半桥器件。
公开/授权文献
- CN101982875A N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构 公开/授权日:2011-03-02
IPC分类: