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公开(公告)号：CN118369750A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280080856.7
申请日：2022-11-03
申请人： 应用材料公司
摘要： 本公开涉及半导体芯组件及其形成方法。本文描述的半导体芯组件可用于形成半导体封装组件、印刷电路板(PCB)组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，基板芯(例如，芯结构)注入有掺杂剂，以实现期望的体电阻率或传导率。在基板芯中形成一个或多个导电互连，并且在基板芯的表面上形成一个或多个再分布层。此后，基板芯可用作半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的芯结构。
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公开(公告)号：CN113809016B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010961991.5
申请日：2020-09-14
申请人： 禾伸堂企业股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种复合基板，包括上下层叠的陶瓷基板及铝基碳化硅基板，并于陶瓷基板与铝基碳化硅基板之间通过活性金属焊料进行热压接合形成一接合面，其中该铝基碳化硅基板含有50～83vol％的SiC，活性金属焊料选自银、铜、钛、锌及铝所组成的群组的任一，此种复合基板仅需选用适当SiC组成的铝基碳化硅基板，并利用其本身所具有高耐热及低热膨胀的特性，当承受高温热压时，就可以通过活性金属焊料直接与陶瓷基板共同压合形成整体散热效果佳且连续致密的接合界面，以简化制程、提高接合的强度与良率，成本更加便宜，同时可提高散热效果及耐冲击强度，对于抵抗冲击和震动等机械性质及产品可靠度等，都有优越的表现，也更加适用于车用领域。
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公开(公告)号：CN108922870B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201810963064.X
申请日：2018-08-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号： H01L23/057 , H01L23/15 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种氮化铝陶瓷管壳及其制作方法，采用氮化铝陶瓷基板，将器件产生的热量及时地通过管壳传递到外部环境，同时在氮化铝陶瓷基板的表面覆盖金属薄膜层，实现高频信号的传输，由于薄膜金属化布线精度高，既可以实现垂直互联又可以实现高频高密度信号传输的要求，同时氮化铝多层陶瓷结合薄膜工艺解决了金属材料方阻较大，在高频下会造成信号传输损耗大、信号延迟的缺陷。
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公开(公告)号：CN118266088A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280074292.6
申请日：2022-10-27
申请人： 艾维森纳科技有限公司
摘要： 公开一种平行光学互连件，其具有连接到收发器电子衬底的光电子衬底。所述光电子衬底可固持光学发射器及接收器，并且电连接到可固持发射器及接收器电路系统的所述收发器电子衬底。所述两个衬底可通过衬底间互连件彼此电连接，且所述光电子衬底可具有将所述发射器及接收器连接到所述衬底间互连件的贯穿衬底通孔。
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公开(公告)号：CN118125713A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410192875.X
申请日：2016-02-29
申请人： 日本电气硝子株式会社
发明人： 柳濑智基
摘要： 本发明涉及半导体用支承玻璃基板及使用其的层叠基板，其技术课题在于通过发明出在半导体封装体的制造工序中难以绝缘破坏的支承玻璃基板而有助于半导体封装体的高密度安装。本发明的半导体用支承玻璃基板，其特征在于，具有成为层叠半导体基板的一侧的第一表面和与第一表面相反侧的表面即第二表面，并在第一表面及第二表面中的至少一面上具有表面粗糙度Ra为0.3nm以上且表面粗糙度Rmax为100nm以下的粗糙面化区域。
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公开(公告)号：CN118063930A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410254570.7
申请日：2024-03-06
申请人： 广东生益科技股份有限公司
IPC分类号： C08L63/00 , H01L23/15 , H01L23/498 , H01L21/48 , C08L53/02 , C08L71/10 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K7/26 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J11/04 , C08L9/06 , C08L61/06 , C09J109/06 , C09J161/06
摘要： 本发明提供一种树脂组合物、包含其的复合膜及其应用，所述树脂组合物包括热固性树脂和改性介孔填料，所述改性介孔填料包括介孔填料和负载于所述介孔填料上的热塑性树脂，所述热塑性树脂包括苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、橡胶、聚丙烯酸酯、酚氧树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺酰亚胺或聚醚砜中的任意一种或至少两种的组合。通过树脂组合物各个组分的复配，将所述树脂组合物用于树脂层压合在芯板上时，可以在其表面咬蚀出均匀的粗糙度，且铜层与树脂层之间的结合力强，同时拉伸模量高，可以解决采用SAP工艺制作细线路的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN112530915B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010091929.5
申请日：2020-02-14
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/15
摘要： 实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片；金属板，具有第一面和与第一面对置的第二面，并且具有设置在第一面与第二面之间的第一陶瓷板；以及第一绝缘基板，设置在第一半导体芯片与金属板之间，与第一面对置，在第一半导体芯片与第二面之间不存在第一陶瓷板。
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公开(公告)号：CN117936496A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211253632.X
申请日：2022-10-13
申请人： 华东科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/31
摘要： 本发明提供一种芯片封装结构，其中一玻璃纤维基板是利用FR‑4等级的玻璃纤维所构成；其中至少一基板焊垫是一由至少一第一电路层上往上依序包括一镍层、一钯层及一金层所堆叠形成且具有一定厚度的金属堆叠结构体，或是一由至少一第一电路层上往上依序包括一镍层及一金层所堆叠形成且具有一定厚度的金属堆叠结构体，且各该基板焊垫的总体厚度为3.15～5.4微米(μm)；其中该玻璃纤维基板与各该基板焊垫能承受来自进行打线接合作业所产生的正压力，借此使至少一焊点能确实完整地形成在各该基板焊垫上以助于增加产品市场竞争力并降低制造端成本。
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公开(公告)号：CN116425552B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310447182.6
申请日：2023-04-24
申请人： 广东省先进陶瓷材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B35/63 , H01L23/15
摘要： 本发明属于氮化物陶瓷制备技术领域，具体公开一种氮化铝基板及其制备方法与应用。本发明通过在氮化铝生坯表面涂覆或喷涂隔粘粉的方式，在基础隔粘的前提下，能够在氮化铝生坯片排胶或低温烧结过程中制造还原性环境，降低氮化铝基板中的氧杂质及第二相的含量，提高其导热率及强度。本发明的氮化铝基板的热导率在205W/(m·k)以上，强度在400MPa以上。
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公开(公告)号：CN110634822B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910957323.2
申请日：2019-10-08
申请人： 广东美的制冷设备有限公司 , 美的集团股份有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/15 , H01L23/13
摘要： 本发明公开一种安装基板、智能功率模块及空调器，该智能功率模块包括：陶瓷层，陶瓷层包括相对设置的第一表面和第二表面；覆铜层，设置于陶瓷层的第一表面；金属散热层，设置于陶瓷层的第二表面，金属散热层上设置有去应力孔。本发明通过设置去应力孔，智能功率模块产生的应力通过该去应力孔被释放，可以防止在绝缘层上形成应力集中而造成断裂，从而有利于提高智能功率模块的强度。
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