发明授权
CN101985745B 化学气相沉积装置以及基板处理装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 化学气相沉积装置以及基板处理装置
- 专利标题（英）： Chemical vapor deposition (CVD) apparatus and substrate processing apparatus
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申请号： CN201010238929.X申请日： 2010-07-28
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公开(公告)号： CN101985745B公开(公告)日： 2013-04-17
- 发明人: 李在珷
- 申请人： 丽佳达普株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 丽佳达普株式会社
- 当前专利权人： 丽佳达普株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京鸿元知识产权代理有限公司
- 代理商 陈英俊
- 优先权： 10-2009-0068830 2009.07.28 KR
- 主分类号： C23C16/44
- IPC分类号： C23C16/44 ; H01L21/205
摘要：
本发明提供一种化学气相沉积装置，其包括：腔室，构成用于在基板上形成薄膜的处理空间；喷淋头，向上述处理空间喷射工艺气体；腔室盖，开闭上述腔室；铰接部，用于将上述腔室盖的一侧结合在上述腔室上，使得上述腔室盖可转动；夹具部，对上述腔室盖的另一侧施加压力，使上述腔室盖接合在上述腔室上；以及倾斜调节部，在上述夹具部对上述腔室盖的另一侧施加压力的状态下，使上述腔室盖的一侧上升，以此调节上述腔室盖的倾斜。
公开/授权文献
- CN101985745A 化学气相沉积装置以及基板处理装置 公开/授权日：2011-03-16
IPC分类:
