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公开(公告)号：CN103813610B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310325922.5
申请日：2013-07-30
申请人： 丽佳达普株式会社
发明人： 林正焕
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置，具备：腔室；源线圈，设在所述腔室的上部的电介质窗外侧；可变电容器控制装置，其包括与所述源线圈连接而用于控制阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及用于检测所述电机的旋转的外部编码器；控制部，通过比较从所述外部编码器输出的外部编码器输出值与输入至所述电机的电机动作输入值，来判断所述可变电容器的动作异常。本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置及其控制方法，通过电机精密地控制连接于各源线圈且用于调节阻抗的可变电容器的动作，以能够对多个源线圈有效地进行阻抗控制，而且能够对多个可变电容器精密地进行自动控制。
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公开(公告)号：CN102804340B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080063854.4
申请日：2010-07-16
申请人： 丽佳达普株式会社
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/54
摘要： 在衬底上形成薄膜的过程中，需要一种化学气相沉积设备来提高过程效率并形成高品质的薄膜。为此，根据本发明的化学气相沉积设备包括：多个反应腔，衬底通过闸门进入所述反应腔中并且对层叠在所述反应腔中的衬底支撑件的上表面上的所述衬底进行处理；缓冲腔，连接所述多个反应腔，从所述多个反应腔中的一个中取出衬底，并且使得所述衬底穿过所述缓冲器，以进入所述多个反应腔中的另一个反应腔；加热器，位于所述多个反应腔或所述缓冲腔中；气体供应装置，用于向所述多个反应腔供应处理气体；第一方向传输单元，用于将上面层叠有所述衬底的板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔；以及第二方向传输单元，用于将位于所述多个反应腔中的某一闸门前面的所述板或所述衬底传输到所述多个反应腔的另一个闸门前面的另一位置。
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公开(公告)号：CN104746047A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310751621.9
申请日：2013-12-31
申请人： 丽佳达普株式会社
发明人： 吴基荣
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45544
摘要： 本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，所述基板位于所述承受器上。所述气体喷射器设置在所述承受器上方，并且将所述承受器上方限定的空间分隔成多个预定的空间。所述气体喷射器供应来源气、反应气和吹扫气到所分隔的空间中分别布置的基板上。所述排气单元设置在所述承受器上方并且设置成与所述气体喷射器相邻。所述排气单元向上引导来源气、反应气和吹扫气的排气流。
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公开(公告)号：CN102598217B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN200980162274.8
申请日：2009-10-28
申请人： 丽佳达普株式会社
发明人： 洪性在
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/46 , C23C16/52 , G05B19/41875 , G05B2219/45031 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法。该设备包括：腔室；安装在腔室内侧并能旋转的衬托器，其中，将至少一个衬底设置于衬托器上；加热衬托器的多个加热器，其温度被独立控制；气体喷射器，位于衬托器上部且朝向衬托器喷射III族气体和V族气体；多个温度探测传感器，其位于衬托器的上部，并测量通过各加热器加热的加热区的温度；和控制器，其存储加热区所需的温度设定值，并通过将由各温度探测传感器探测到的探测温度值与加热区所需的设定值相比较来控制加热区的温度。通过有效地调节金属有机化学汽相淀积设备中的每一外延工艺所必需的温度条件，可以在整个工艺期间均匀地向整个衬底实施温度倾斜，其通过将温度从室温上升至1200℃来执行工艺。因此提高了工艺效率和淀积均匀度。
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公开(公告)号：CN102646569B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110249337.2
申请日：2011-08-25
申请人： 丽佳达普株式会社
发明人： 孙亨圭
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种等离子体处理装置，包括：腔室；设置在所述腔室的上部中的上电极；设置在所述腔室的下部中与所述上电极相对的位置处的下电极；布置在所述下电极之下的绝缘板；以及设置在所述绝缘板之下的底板，所述底板布置为使得所述下电极和所述底板之间的间隔能够为锥形。在根据本发明示例性实施方式的等离子体处理装置中，位于上下且之间具有绝缘板的冷却板和底板并不平行而是相互倾斜，使得可以通过在冷却板和底板之间产生的电场来最大化地防止提供到下电极的射频(RF)输送的损失，从而提高了RF输送效率。
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公开(公告)号：CN103649368A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280016242.9
申请日：2012-03-07
申请人： 丽佳达普株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45578
摘要： 本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。同时，通过在沿着供气管的外表面的特定部分中所形成的进气孔所供应的气体被吸入。因此，当所述气体喷注装置被设置在靠近所述衬底处时，气体的供应和吸入可以同时进行。此处，由于沉积工艺是在常压下进行，所以不需要提供额外的装置及设置额外的时间来建立真空。并且，因为能够实施连续的工艺，所以工艺前步骤或工艺后步骤可以同时一起进行。此外，可以提供多个来源气喷注装置来形成多组分化合物。在这种情况下，可以针对每一种来源气分解温度来单独地调整热源的种类和所供应的热量。
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公开(公告)号：CN103187542A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210238533.4
申请日：2012-07-10
申请人： 丽佳达普株式会社
发明人： 黄载锡
IPC分类号： H01L51/56
摘要： 本发明提供一种能够缩短对形成有有机发光层的基板和保护膜进行加热所需要的时间，从而消除物流堆积现象的有机发光元件封装装置以及有机发光元件封装方法。本发明的有机发光元件封装装置，包括，临时接合腔室，由形成有有机发光层的基板和保护膜临时接合而形成临时接合基板；加压腔室，把上述临时接合基板加热至上述保护膜能够接合到上述基板上的工艺温度，并对上述临时接合基板进行加压，从而由上述保护膜对上述有机发对光层进行封装；预热腔室，配置在上述临时接合腔室和上述加压腔室之间，对上述临时接合基板进行预热；移送腔室，配置在上述临时接合腔室、上述加压腔室、上述预热腔室之间移送上述临时接合基板。
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公开(公告)号：CN102115879B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201010612966.2
申请日：2010-12-30
申请人： 丽佳达普株式会社
发明人： 孙亨圭
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/505 , C23C16/513
摘要： 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置在腔室的外部(大气中)和内部(真空环境)分别具备天线，并且腔室外部的天线配置在中央部，腔室内部的天线配置成靠近腔室的墙面侧。因此，能够整体上均匀地形成等离子体，同时能够提高等离子体的密度，具有提高基板处理效率的效果。
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公开(公告)号：CN102595760A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110248510.7
申请日：2011-08-26
申请人： 丽佳达普株式会社
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 公开一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括基座，在所述基座上安放基板；盖子框架，位于所述基座上方，并且包括形成边缘的外部框架和形成在所述外部框架中从而使得多个矩形框架可以形成在由所述外部框架形成的空间中的支撑框架；以及多个介电窗，分别被布置在所述多个矩形框架中，所述多个介电窗包括第一区介电窗和第二区介电窗，并且所述第一区介电窗比第二区介电窗厚，以防止电子在所述第一区介电窗下面的密度大。这样，可以防止由支撑介电窗的框架所引起的电子致密带的形成。
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