发明授权
- 专利标题： 一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET及其制造方法
- 专利标题（英）： Terrace metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with step-like terrace gate and improved source body contact performance and manufacturing method thereof
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申请号： CN200910178706.6申请日： 2009-09-25
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公开(公告)号： CN102034822B公开(公告)日： 2013-03-27
- 发明人: 谢福渊
- 申请人： 力士科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾台北县板桥市
- 专利权人： 力士科技股份有限公司
- 当前专利权人： 力士科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾台北县板桥市
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王新华
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/8234 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET与其制造方法，与现有技术中的沟槽MOSFET相比，根据本发明的沟槽MOSFET，由于源体接触沟槽与体接触区之间的接触面积增大，因而具有较小的接触电阻和更好的接触性能。同时，台阶状沟槽栅的应用使得栅电容和导通电阻过大的问题得以解决。
公开/授权文献
- CN102034822A 一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET及其制造方法 公开/授权日：2011-04-27
IPC分类:
