Invention Grant
- Patent Title: 包括掩埋字线的半导体器件
- Patent Title (English): Semiconductor device comprising buried word lines
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Application No.: CN201010294401.4Application Date: 2010-09-21
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Publication No.: CN102034824BPublication Date: 2015-04-01
- Inventor: 金熙中 , 吴容哲 , 郑铉雨 , 金铉琦 , 金冈昱
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 张波
- Priority: 90560/09 2009.09.24 KR
- Main IPC: H01L27/108
- IPC: H01L27/108
Abstract:
本发明提供一种包括掩埋字线的半导体器件。该半导体器件包括：隔离层，用于限定衬底的多个有源区，其中隔离层设置在衬底上；多条掩埋字线，具有比有源区的上表面低的上表面，被有源区围绕，并在平行于衬底的主表面的第一方向上延伸；栅电介质膜，插设在掩埋字线与有源区之间；以及多条掩埋位线，具有比多条掩埋字线的上表面低的上表面，平行于衬底的主表面，并在不同于第一方向的第二方向上延伸。
Public/Granted literature
- CN102034824A 包括掩埋字线的半导体器件 Public/Granted day:2011-04-27
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IPC分类:
