发明公开
- 专利标题: 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法
- 专利标题(英): Method for removing carbons in polysilicon carbon head materials
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申请号: CN201010195803.9申请日: 2010-06-09
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公开(公告)号: CN102041510A公开(公告)日: 2011-05-04
- 发明人: 邹华 , 银波 , 宋高杰 , 金晶 , 王文 , 张旭
- 申请人: 特变电工新疆硅业有限公司
- 申请人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市昆明路158号野马大厦七层
- 专利权人: 特变电工新疆硅业有限公司
- 当前专利权人: 新特能源股份有限公司
- 当前专利权人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市昆明路158号野马大厦七层
- 代理机构: 北京中恒高博知识产权代理有限公司
- 代理商 夏晏平
- 主分类号: C23F1/24
- IPC分类号: C23F1/24
摘要:
本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法,主要是将碳头料破碎后分为三类,第一类物料为不含碳的硅块,其无需清洗处理;第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块,第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块;上述第二、三类物料需经不同的碳硅分离液清洗,后经水洗、吹扫、酸洗、再次水洗及烘干处理;其中第二类物料的碳硅分离液为浓硫酸、浓硝酸和高锰酸钾的混合溶液,第三类物料的碳硅分离液为浓硫酸和高锰酸钾的混合溶液。本发明从分选碳头料开始,针对不同的物料采用不同的方法处理,可以提高效率和降低成本。
公开/授权文献
- CN102041510B 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法 公开/授权日:2011-08-10