发明公开
CN102054914A 发光二极管及其制造方法、发光装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 发光二极管及其制造方法、发光装置
- 专利标题(英): Light emitting diode and manufacturing method thereof and light emitting device
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申请号: CN201010538428.3申请日: 2010-11-09
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公开(公告)号: CN102054914A公开(公告)日: 2011-05-11
- 发明人: 张汝京 , 肖德元
- 申请人: 映瑞光电科技(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区牛顿路200号5号楼101室
- 专利权人: 映瑞光电科技(上海)有限公司
- 当前专利权人: 映瑞光电科技(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区牛顿路200号5号楼101室
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L33/36
- IPC分类号: H01L33/36 ; H01L33/38 ; H01L33/20 ; H01L33/00
摘要:
本发明提供一种发光二极管及其制造方法、发光装置,发光二极管包括用于连接发光二极管与电源负极的第一电极;依次位于第一电极上的衬底、发光二极管管芯,衬底中形成有多个贯穿衬底的接触孔,接触孔的上孔径尺寸大于下孔径尺寸,接触孔中填充有用于连接第一电极和发光二极管管芯的电极插塞。包括发光二极管的发光装置中,发光装置还包括基座,发光二极管安装于基座上。发光二极管的制造方法,包括:在衬底上依次形成发光二极管管芯、第二电极;图形化衬底背面、形成露出发光二极管管芯的倒梯形接触孔;向倒梯形接触孔中填充导电材料、直至形成覆盖于衬底背面上的第一电极。本发明提高了发光二极管出光效率,并且制造工艺较为简单。
公开/授权文献
- CN102054914B 发光二极管及其制造方法、发光装置 公开/授权日:2013-09-04
IPC分类: