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公开(公告)号：CN115394887B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202211016122.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 天津三安光电有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光元件及其制作方法。所述发光元件包括衬底；外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面；透明键合层，位于外延叠层的第一表面和衬底之间，所述透明键合层包括至少一层由透明氧化物制成的致密层；其中，所述透明键合层上形成有缝隙，所述缝隙自靠近外延叠层一侧的透明键合层表面向背离外延叠层一侧的透明键合层表面延伸，且不抵至背离外延叠层一侧的透明键合层表面。本发明提供的发光元件通过在透明键合层上设置缝隙的方式，来降低透明氧化物自身的内应力，有效减少后续芯片退火制程中热失配导致的外延叠层和透明键合层界面间开裂和剥离的现象。
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公开(公告)号：CN119092615A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411374124.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括导电衬底、键合层、外延结构、第一电极焊盘和第二电极焊盘。外延结构设有朝向导电衬底的第一表面和开口于第一表面的切割槽和导通槽；切割槽沿第一方向延伸并至少贯穿第二型半导体层，导通槽暴露第二型半导体层的部分表面；第一方向垂直于导电衬底并由导电衬底指向外延结构。键合层键合连接导电衬底和外延结构，所述键合层嵌入切割槽和导通槽内的部分与外延结构绝缘设置。在外延结构上设置切割槽和导通槽两个槽，使得键合层两边都嵌入槽内，减小键合层两边的高度差，减小键合空洞率，增加芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN112514085B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201980050945.5
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 一种发光装置可以包括：基底；至少一个发光元件，位于基底上并且发射光；第一电极和第二电极，彼此隔开预定距离且发光元件在第一电极与第二电极之间；颜色转换层，位于基底上并且将从发光元件发射的光转换为具有特定颜色的光；第一接触电极，将第一电极与发光元件的第一端电连接；以及第二接触电极，将第二电极与发光元件的第二端电连接。在平面图中，颜色转换层可以与发光元件隔开预定距离并且与第一接触电极和第二接触电极中的一个叠置。
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公开(公告)号：CN119069599A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411019536.8
申请日：2024-07-26
Applicant: 湖北三安光电有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括外延结构、第二接触电极、绝缘层。外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个第二接触电极分布在第二半导体层上方且电连接第二半导体层；绝缘层至少覆盖部分第二接触电极和外延结构；绝缘层包括露出第二接触电极部分表面的第二通孔；第二通孔与第二接触电极边缘之间具有最小距离，最小距离为第一间距；至少存在两个第二接触电极与第二通孔的第一间距不相等。通过该设计能够有效提高发光二极管的EOS能力，避免发光二极管在过电压情况下容易发生结构烧伤而造成发光二极管能力失效的风险。
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公开(公告)号：CN119029105A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411162503.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片；S2、形成键合层；S3、与永久衬底键合；S4、形成第一通孔；S5、在第一通孔内形成第一P电极，得到中间体；其中，第一P电极包括依次层叠于P型半导体层上的第一欧姆接触金属层、垫高层和金属保护层；第一P电极的高度与第一通孔的深度相同；S6、退火；S7、同时在N型半导体层和金属保护层上分别形成第一金属电极层和第二金属电极层，第一金属电极层和第二金属电极层均包括第二欧姆接触金属层和刻蚀阻挡层；S8、退火；S9、形成DBR层，并在第一金属电极层、第二金属电极层所在区域刻蚀形成第二通孔和第三通孔；S10、形成N电极和第二P电极；N电极通过第二通孔与第一金属电极层形成电连接，第二P电极通过第三通孔与第一P电极形成电连接；N电极和第二P电极的高度相同；S11、切割。实施本发明，可提升倒装LED芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116995170B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310593580.9
申请日：2023-05-24
Applicant: 佛山大学
IPC: H01L33/36 , H01L25/075 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及光电器件封装技术领域，提供了一种该电极封装结构和发光模组，该电极封装结构包括封装基座和设置在所述封装基座的设置有发光件的一侧的正面电极；本发明提供的该电极封装结构适于应用在发光模组的单个封装体中，通过将现有电极封装体背部电极引入到该电极封装结构的上表面，即将正面电极设置在出光面的同一侧，可以实现所述该电极封装结构正面电极识别和正面点亮功能，便于发光模组快速进行失效观察与定位。
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公开(公告)号：CN114175244B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202080053529.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 本申请涉及像素、显示装置以及制造显示装置的方法。像素可包括：第一区域和第二区域，在第一方向上彼此分割；第一电极至第四电极，在与第一方向相交的第二方向上依次布置在第一区域中，以及在第二方向上依次布置在第二区域中；多个发光元件，设置在第一区域的第一电极至第四电极中的两个相邻的电极之间、以及第二区域的第一电极至第四电极中的两个相邻的电极之间；第一导电图案，设置在第一区域中并且电连接第二电极和第三电极；第二导电图案，跨越第一区域和第二区域设置，并且将第一区域的第四电极与第二区域的第一电极电连接；以及第三导电图案，设置在第二区域中并且电连接第二电极和第三电极。
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公开(公告)号：CN118841491A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410807682.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高压LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供外延片；形成刻蚀至第一半导体层的第一孔洞、过道刻蚀槽和桥接刻蚀槽；形成光刻胶层；曝光形成第一非曝光区、过道曝光区、桥接曝光区、第二非曝光区和欠曝光区；显影去除过道曝光区、桥接曝光区的光刻胶层以及欠曝光区预设量的光刻胶层；将剩余的光刻胶层烘烤固化；刻蚀去除过道刻蚀槽内、桥接刻蚀槽内的剩余的第一半导体层，暴露衬底；并去除欠曝光区内预设厚度的外延层，在欠曝光区内形成倾斜角度≤45°的斜坡；去除剩余的光刻胶层；形成第一电极、第二电极和桥接电极。实施本发明，可简化制备工艺，降低成本。
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公开(公告)号：CN118825178A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410705332.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 湖北三安光电有限公司
IPC: H01L33/62 , H01L33/44 , H01L25/075 , H01L33/36 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，半导体发光元件自发光外延层向第一表面投影，第一半导体层的下边缘具有第一投影线，第二导电类型半导体层的上边缘具有第二投影线，第一投影线位于第二投影线的外围，并且焊盘电极靠近发光外延层的边缘的投影边界线位于第一投影线和第二投影线之间。上述第一导电类型半导体层的下边缘为第一台面的边界，第二导电类型半导体层的上边缘为第二台面的边缘，因此，在发光外延层向第一表面的投影中，焊盘电极盖过第二台面的边缘，进一步地，相比于第二台面的边缘，使得焊盘电极的边缘更加靠近第一台面的边缘。由此，可以大大增加焊盘电极与固晶的基板之间的结合力。
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公开(公告)号：CN118825171A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410865043.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
Inventor： 尹炳坤
Abstract: 本申请公开了本申请提供了一种阵列基板及显示面板，包括基板、薄膜晶体管、第一垫高部、第二垫高部、封装层、第一导电部以及第二导电部，薄膜晶体管设于基板上；第一垫高部设于基板上，且第一垫高部位于薄膜晶体管的一侧；第二垫高部设于基板上，且第二垫高部与第一垫高部间隔；封装层设于基板上，且封装层覆盖薄膜晶体管；第一导电部设于第一垫高部远离基板的一表面；第二导电部设于第二垫高部远离基板的一表面；其中，第一导电部的顶面所在平面不低于封装层的顶面所在的平面，第二导电部的顶面所在平面不低于封装层的顶面所在的平面。
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