Invention Grant
- Patent Title: 非易失性存储器中的同时写入和核对
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Application No.: CN200980124527.2Application Date: 2009-06-26
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Publication No.: CN102077293BPublication Date: 2014-10-15
- Inventor: 卢卡·G·法索利 , 颜天鸿 , 杰佛瑞·冠仪·李
- Applicant: 桑迪士克3D公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 桑迪士克3D公司
- Current Assignee: 桑迪士克科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- Agent 黄志华; 钟锦舜
- Priority: 61/076,553 2008.06.27 US; 12/339,327 2008.12.19 US
- International Application: PCT/US2009/048951 2009.06.26
- International Announcement: WO2009/158673 EN 2009.12.30
- Date entered country: 2010-12-27
- Main IPC: G11C13/00
- IPC: G11C13/00
Abstract:
一种存储器系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个具有可逆电阻切换元件的存储器单元的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于检测可逆电阻切换元件的设置和复位的电路。
Public/Granted literature
- CN102077293A 非易失性存储器中的同时写入和核对 Public/Granted day:2011-05-25
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