发明授权
CN102095490B 一种压电晶片本征频率的测量方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种压电晶片本征频率的测量方法
- 专利标题(英): Piezoelectric wafer eigenfrequency measurement method
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申请号: CN201010552783.6申请日: 2010-11-19
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公开(公告)号: CN102095490B公开(公告)日: 2012-05-09
- 发明人: 曹静 , 蔡桂喜 , 张恩勇 , 周庆祥 , 沙勇 , 董瑞琪 , 刘芳 , 张双楠 , 刘畅
- 申请人: 中国海洋石油总公司 , 中海石油研究中心 , 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 北京市东城区朝阳门北大街25号
- 专利权人: 中国海洋石油总公司,中海石油研究中心,中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 中国海洋石油总公司,中海油研究总院,中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 北京市东城区朝阳门北大街25号
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 徐宁; 关畅
- 主分类号: G01H11/08
- IPC分类号: G01H11/08
摘要:
本发明涉及一种压电晶片本征频率的测量方法,其包括以下步骤:1)设置一包括函数发生器、压电晶片和数字示波器的测量装置;2)开启函数发生器,使其产生一定周期数的Tone-Burst正弦波信号,函数发生器以频率f对压电晶片进行电脉冲激励;当函数发生器完成周期数时,对压电晶片的电脉冲激励停止,压电晶片开始自由振动,通过数字示波器采集压电晶片两电极之间的自由振动信号;3)调节数字示波器,将步骤2)中压电晶片两电极之间的自由振动信号放大,并对该放大信号进行快速傅立叶变换分析;4)取步骤3)中傅立叶变换分析得到的频谱图上的峰值的频率,则为该被测压电晶片的本征频率;5)调节改变步骤2)中函数发生器的频率f,重复步骤3)和步骤4),测得压电晶片的各个本征频率。
公开/授权文献
- CN102095490A 一种压电晶片本征频率的测量方法 公开/授权日:2011-06-15