发明公开
- 专利标题: 薄膜太阳能电池的制造装置和方法以及薄膜太阳能电池
- 专利标题(英): Apparatus and method for manufacturing thin film solar cell, and thin film solar cell
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申请号: CN200980128616.4申请日: 2009-07-24
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公开(公告)号: CN102105990A公开(公告)日: 2011-06-22
- 发明人: 菊池正志 , 增田淳 , 近藤道雄
- 申请人: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所
- 申请人地址: 日本国神奈川县
- 专利权人: 株式会社爱发科,独立行政法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本国神奈川县
- 代理机构: 上海嘉和知识产权代理事务所
- 代理商 杨嘉和
- 优先权: 2008-192490 2008.07.25 JP
- 国际申请: PCT/JP2009/063297 2009.07.24
- 国际公布: WO2010/010956 JA 2010.01.28
- 进入国家日期: 2011-01-24
- 主分类号: H01L31/04
- IPC分类号: H01L31/04 ; C23C16/24 ; C23C16/509 ; C23C16/54
摘要:
一种用于制造增加膜特性均匀性的薄膜太阳能电池的装置。在输送衬底(S)从一个卷筒(R1)到另一个卷筒(R2)的过程中,在所述卷筒对(R1,R2)之间沿输送方向(D)区隔开的多个膜形成隔室(23A)中形成多个半导体层的层叠体的电能生成层(12)。在每个膜形成隔室(23A)中,在所述输送方向上,朝向所述衬底(S)布置多个扁平应用电极(32)。每个扁平应用电极(32)包括提供有VHF频带内的高频电源的电源端子(36)。当所述高频电源的波长由λ表示时,将所述扁平应用电极(32)的边缘与电源端子(36)之间在正交于所述输送方向的方向上的距离设置为比λ/4短。
公开/授权文献
- CN102105990B 薄膜太阳能电池的制造装置和方法以及薄膜太阳能电池 公开/授权日:2013-05-29