发明授权
- 专利标题： 半导体装置的修复电路和修复方法
- 专利标题（英）： Repair circuit and repair method of semiconductor apparatus
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申请号： CN201010244677.1申请日： 2010-08-04
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公开(公告)号： CN102110482B公开(公告)日： 2015-06-17
- 发明人: 崔香花 , 李政祐 , 辛尚勋
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 郭放; 黄启行
- 优先权： 10-2009-0130756 2009.12.24 KR
- 主分类号： G11C29/44
- IPC分类号： G11C29/44
摘要：
本发明提供一种半导体装置的修复电路，包括：多个穿通硅通孔，包括具有一个修复穿通硅通孔和M个正常穿通硅通孔的重复的组；发送单元，被配置为基于控制信号，以第一多路复用比对输入数据进行多路复用，并将多路复用的数据传输至多个穿通硅通孔；接收单元，被配置为基于控制信号，以第二多路复用比对经由多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生输出数据；以及控制信号发生单元，被配置为基于测试信号的输入次数来产生控制信号的组。
公开/授权文献
- CN102110482A 半导体装置的修复电路和修复方法 公开/授权日：2011-06-29
