-
公开(公告)号：CN102759700B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210102764.2
申请日：2012-04-10
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G01R31/318513 , G01R31/2853 , G01R31/3008 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体集成电路的测试电路和测试方法。半导体集成电路的测试电路包括穿通通孔、电压驱动单元和判定单元。所述穿通通孔接收输入电压。所述电压驱动单元与所述穿通通孔连接以接收所述输入电压，响应于测试控制信号改变所述输入电压的电平，并产生测试电压。所述判定单元比较所述输入电压与所述测试电压以输出所得信号。
-
公开(公告)号：CN102142424B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201010237546.0
申请日：2010-07-27
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体集成电路。半导体集成电路包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与一对互连结构相连接，并位于熔丝周围。
-
公开(公告)号：CN102110482A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010244677.1
申请日：2010-08-04
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G11C29/702
摘要： 本发明提供一种半导体装置的修复电路，包括：多个穿通硅通孔，包括具有一个修复穿通硅通孔和M个正常穿通硅通孔的重复的组；发送单元，被配置为基于控制信号，以第一多路复用比对输入数据进行多路复用，并将多路复用的数据传输至多个穿通硅通孔；接收单元，被配置为基于控制信号，以第二多路复用比对经由多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生输出数据；以及控制信号发生单元，被配置为基于测试信号的输入次数来产生控制信号的组。
-
公开(公告)号：CN101944524A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010112706.9
申请日：2010-02-04
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , G11C17/18
CPC分类号： H01L23/5256 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置，包括：位于不同层处的第一传输线及第二传输线；接触熔丝，其与第一传输线及第二传输线耦接；电源驱动器，其被配置成将电应力施加至接触熔丝；及熔丝状态输出单元，其被配置成输出具有与接触熔丝的电连接状态相对应的逻辑电平的熔丝状态信号。
-
公开(公告)号：CN102110482B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201010244677.1
申请日：2010-08-04
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G11C29/702
摘要： 本发明提供一种半导体装置的修复电路，包括：多个穿通硅通孔，包括具有一个修复穿通硅通孔和M个正常穿通硅通孔的重复的组；发送单元，被配置为基于控制信号，以第一多路复用比对输入数据进行多路复用，并将多路复用的数据传输至多个穿通硅通孔；接收单元，被配置为基于控制信号，以第二多路复用比对经由多个穿通硅通孔传输的信号进行多路复用，并产生输出数据；以及控制信号发生单元，被配置为基于测试信号的输入次数来产生控制信号的组。
-
公开(公告)号：CN101944524B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010112706.9
申请日：2010-02-04
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , G11C17/18
CPC分类号： H01L23/5256 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置，包括：位于不同层处的第一传输线及第二传输线；接触熔丝，其与第一传输线及第二传输线耦接；电源驱动器，其被配置成将电应力施加至接触熔丝，其中电源驱动器包括耦接在熔丝源电压端子与接触熔丝之间的第一电流驱动器，第一电流驱动器被配置成响应于应力电流驱动信号将应力电流施加至接触熔丝；及熔丝状态输出单元，其被配置成输出具有与接触熔丝的电连接状态相对应的逻辑电平的熔丝状态信号。
-
公开(公告)号：CN103065675B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210097174.5
申请日：2012-04-05
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G11C11/402
CPC分类号： G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615
摘要： 本发明提供一种存储系统，包括：控制器，所述控制器被配置为提供隐藏自动刷新命令；以及存储器，所述存储器被配置为响应于所述隐藏自动刷新命令来执行刷新操作。所述控制器和所述存储器相互通信，使得所述控制器和所述存储器的每个刷新地址具有彼此相同的值。
-
公开(公告)号：CN103065675A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210097174.5
申请日：2012-04-05
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G11C11/402
CPC分类号： G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615
摘要： 本发明提供一种存储系统，包括：控制器，所述控制器被配置为提供隐藏自动刷新命令；以及存储器，所述存储器被配置为响应于所述隐藏自动刷新命令来执行刷新操作。所述控制器和所述存储器相互通信，使得所述控制器和所述存储器的每个刷新地址具有彼此相同的值。
-
公开(公告)号：CN102759700A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210102764.2
申请日：2012-04-10
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G01R31/318513 , G01R31/2853 , G01R31/3008 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体集成电路的测试电路和测试方法。半导体集成电路的测试电路包括穿通通孔、电压驱动单元和判定单元。所述穿通通孔接收输入电压。所述电压驱动单元与所述穿通通孔连接以接收所述输入电压，响应于测试控制信号改变所述输入电压的电平，并产生测试电压。所述判定单元比较所述输入电压与所述测试电压以输出所得信号。
-
公开(公告)号：CN102760100A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125273.X
申请日：2012-04-25
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G11C14/0054 , G11C29/50
摘要： 一种包括存储器和存储器控制器的存储系统的操作方法，包括：在所述存储器的初始操作中，将缺陷单元地址信息从所述存储器传送到所述存储器控制器，其中所述缺陷单元地址信息包括所述存储器的缺陷单元的地址；以及利用所述存储器控制器，访问所述存储器的除了在所述存储器内部由所述缺陷单元地址信息所指示的区域以外的区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.028 秒)
