本发明公开了一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，包括：多个金属层和有源区，多个金属层包括顶金属层，与有源区连接的第1金属层和顶金属层与第1金属层之间的至少一个中间金属层，第1金属层包括一个回路，顶金属层分为四个互不相连的端口顶金属层区域，各区域下的中间金属层区域的范围均在相应端口顶金属层区域的范围内，接地端口顶金属层区域与其下的中间金属层区域和第1金属层的回路逐层连接，至少去除一层位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，断开信号端口顶金属层区域与第1金属层的连接。根据本发明的结构能够有效清除寄生电容，提高测试结构参数与实际电路参数的一致性。