发明授权
- 专利标题： 一种半导体器件的制造方法
- 专利标题（英）： Manufacturing method of semiconductor device
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申请号： CN201010104991.X申请日： 2010-02-02
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公开(公告)号： CN102142373B公开(公告)日： 2012-12-19
- 发明人: 钟汇才
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京市立方律师事务所
- 代理商 张磊
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L21/28
摘要：
一种半导体器件的制造方法，所述方法在栅极替代工艺(Replacementgate或Gate last)制备CMOS晶体管过程中，在去除伪栅堆叠后，在去除伪栅堆叠形成的第一开口内形成L形侧墙以及其上的第二侧墙或L形侧墙，来重新定义替代栅的尺寸，起到调节替代栅堆叠与源/漏区域以及源/漏延伸区重叠电容的作用；而后通过在替代栅堆叠中的栅电极的侧壁形成替代侧墙，进一步减小侧墙与源/漏区域以及源/漏延伸区的重叠电容，进而减小器件整体的重叠电容，此外，以较易实现的工艺方法得到更小器件尺寸的器件。
公开/授权文献
- CN102142373A 一种半导体器件的制造方法 公开/授权日：2011-08-03
IPC分类:
