Invention Grant
CN102157443B 图像传感器的阵列单元的保护电路制作方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 图像传感器的阵列单元的保护电路制作方法
- Patent Title (English): Manufacturing method of protection circuit for array unit of image sensor
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Application No.: CN201110020331.8Application Date: 2011-01-18
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Publication No.: CN102157443BPublication Date: 2013-04-17
- Inventor: 王恒和 , 刘建强
- Applicant: 江苏康众数字医疗设备有限公司
- Applicant Address: 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米科技园A2楼201室
- Assignee: 江苏康众数字医疗设备有限公司
- Current Assignee: 江苏康众数字医疗科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米科技园A2楼201室
- Agency: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- Agent 孙仿卫
- Main IPC: H01L21/77
- IPC: H01L21/77 ; H01L27/02 ; H01L27/146

Abstract:
本发明涉及一种图像传感器的阵列单元的保护电路制作方法,包括下列步骤A、TFT生成工序:在玻璃基板的有源区域制作像素TFT,在玻璃基板的非有源区域形成外保护环路,并在该玻璃基板上形成信号线、扫描线、信号端引脚电极和扫描端引脚电极;B、金属连接工序:用金属材料将扫描端引脚电极、信号端引脚电极与外保护环路连接形成静电放电回路;C、光敏二极管生成工序:在金属材料的上方形成光敏二极管;D)、刻蚀工序,选择性地刻蚀扫描端引脚电极、信号端引脚电极与外保护环路之间的金属材料;E)、再连接工序:用透明导电材料使信号端引脚电极和扫描端引脚电极与外保护环路重新连接形成静电放电回路。
Public/Granted literature
- CN102157443A 图像传感器的阵列单元的保护电路制作方法 Public/Granted day:2011-08-17
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