公开(公告)号：CN102142449A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110020319.7

申请日：2011-01-18

Applicant: 江苏康众数字医疗设备有限公司

Inventor： 刘建强 ,  王恒和

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/17

Abstract: 一种非晶硅图像传感器，包括多个像素单元以及信号线、扫描线和偏压线，至少有部分像素单元包括：光敏二极管，用于接收光信号，并输出对应于该光信号的电信号；第一开关装置，用于接收来自扫描线的驱动信号并控制来自光电二极管的电信号经由信号线输出的通路；存储电容，用于存储光敏二极管产生的电荷；第二开关装置，用于选择性地将存储电容并联在光敏二极管上；存储电容开关线，用于接收存储电容开关控制信号并控制第二开关装置接通或断开，存储电容开关线与第二开关装置的控制极相连。本发明通过第二开关装置，可选择地将存储电容并联在光敏二极管上，从而改变像素单元的电容大小，进而使非晶硅图像传感器具有双重的光学灵敏度和动态范围。

公开(公告)号：CN102157443B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110020331.8

申请日：2011-01-18

Applicant: 江苏康众数字医疗设备有限公司

Inventor： 王恒和 ,  刘建强

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/02 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器的阵列单元的保护电路制作方法，包括下列步骤A、TFT生成工序：在玻璃基板的有源区域制作像素TFT，在玻璃基板的非有源区域形成外保护环路，并在该玻璃基板上形成信号线、扫描线、信号端引脚电极和扫描端引脚电极；B、金属连接工序：用金属材料将扫描端引脚电极、信号端引脚电极与外保护环路连接形成静电放电回路；C、光敏二极管生成工序：在金属材料的上方形成光敏二极管；D）、刻蚀工序，选择性地刻蚀扫描端引脚电极、信号端引脚电极与外保护环路之间的金属材料；E）、再连接工序：用透明导电材料使信号端引脚电极和扫描端引脚电极与外保护环路重新连接形成静电放电回路。

公开(公告)号：CN102157533B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110020333.7

申请日：2011-01-18

Applicant: 江苏康众数字医疗设备有限公司

Inventor： 刘建强 ,  王恒和

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种具有存储电容结构的非晶硅图像传感器，它包括多个像素单元，各像素单元包括：栅极布线、第一绝缘层、有源层、数据布线、第二绝缘层、存储电容、光敏二极管、钝化层、偏置电压线，该存储电容设置于光敏二极管的下方，存储电容的下电极形成于玻璃基板上或者第一绝缘层上，上电极形成于介电层之上并与源电极相连接；光敏二极管的第一电极与存储电容的上电极共电极，光敏二极管的第二电极与存储电容的下电极以及偏置电压线导通。本发明通过将存储电容布置在光敏二极管的下方，能够在不增加或减小像素尺寸的条件下，增加像素单元的电荷存储容量，即达到在不损失薄膜晶体管矩阵面板的分辨率的前提下，提高薄膜晶体管矩阵面板的信号动态范围。

公开(公告)号：CN102157443A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110020331.8

申请日：2011-01-18

Applicant: 江苏康众数字医疗设备有限公司

Inventor： 王恒和 ,  刘建强

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/02 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种图像传感器的阵列单元的保护电路制作方法，包括下列步骤A、TFT生成工序：在玻璃基板的有源区域制作像素TFT，在玻璃基板的非有源区域形成外保护环路，并在该玻璃基板上形成信号线、扫描线、信号端引脚电极和扫描端引脚电极；B、金属连接工序：用金属材料将扫描端引脚电极、信号端引脚电极与外保护环路连接形成静电放电回路；C、光敏二极管生成工序：在金属材料的上方形成光敏二极管；D、刻蚀工序，选择性地刻蚀扫描端引脚电极、信号端引脚电极与外保护环路之间的金属材料；E、再连接工序：用透明导电材料使信号端引脚电极和扫描端引脚电极与外保护环路重新连接形成静电放电回路。

公开(公告)号：CN102157533A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110020333.7

申请日：2011-01-18

Applicant: 江苏康众数字医疗设备有限公司

Inventor： 刘建强 ,  王恒和

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种具有存储电容结构的非晶硅图像传感器，它包括多个像素单元，各像素单元包括：栅极布线、第一绝缘层、有源层、数据布线、第二绝缘层、存储电容、光敏二极管、钝化层、偏置电压线，该存储电容设置于光敏二极管的下方，存储电容的下电极形成于玻璃基板上或者第一绝缘层上，上电极形成于介电层之上并与源电极相连接；光敏二极管的第一电极与存储电容的上电极共电极，光敏二极管的第二电极与存储电容的下电极以及偏置电压线导通。本发明通过将存储电容布置在光敏二极管的下方，能够在不增加或减小像素尺寸的条件下，增加像素单元的电荷存储容量，即达到在不损失薄膜晶体管矩阵面板的分辨率的前提下，提高薄膜晶体管矩阵面板的信号动态范围。