发明授权
- 专利标题: 一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of thin film transistor of flexible electronic device
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申请号: CN201110063328.4申请日: 2011-03-16
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公开(公告)号: CN102169960B公开(公告)日: 2013-03-20
- 发明人: 黄永安 , 尹周平 , 陈建魁 , 布宁斌 , 王小梅 , 段永青
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 武汉智能装备工业技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 朱仁玲
- 主分类号: H01L51/40
- IPC分类号: H01L51/40
摘要:
本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法,包括:(1)准备可弯曲和拉伸的基板;(2)拉伸所述基板,并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂;(3)在所述基板上沉积栅极;(4)在经步骤(3)处理后的器件上沉积有机介电层单元;(5)在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层;(6)基板松弛,释放作用在基板上的载荷,并进行热处理,以消除界面应力和器件的压应力;(7)沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度,有效提高了制造精度,提升了柔性电子器件的分辨率。
公开/授权文献
- CN102169960A 一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法 公开/授权日:2011-08-31
IPC分类: