- 专利标题: 用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程
- 专利标题(英): Manufacturing process of metal waveguide microcavity optical coupling structure used for photoelectric functional devices
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申请号: CN201110082811.7申请日: 2011-04-01
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公开(公告)号: CN102185025A公开(公告)日: 2011-09-14
- 发明人: 陆卫 , 王旺平 , 李宁 , 李志锋 , 陈效双 , 俞立明 , 张波 , 李天信 , 陈平平 , 甄红楼 , 王少伟
- 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市玉田路500号
- 专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所,上海中科高等研究院,阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所,上海中科高等研究院,阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市玉田路500号
- 代理机构: 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 郭英
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程,可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备;利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性,功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米,金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻),响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
公开/授权文献
- CN102185025B 用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程 公开/授权日:2013-07-24