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公开(公告)号：CN102185025B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN102136519A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010564411.5
申请日：2010-11-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种量子阱长波红外探测器光栅波导微腔的光耦合单元。其结构特点是采用金属背反射层、介质层、金属光栅的夹层结构。这种光耦合结构有如下优点：一、采用金属的阵列结构提高了入射光的耦合效率。二、光场被局域在金属光栅层和金属背反射层之间的微小空间内传播，从而大大提高了量子阱层的电场强度。三、采用类似于微带天线结构使得垂直电场分量在纵向方向上具有很好的均匀性。四、金属结构不仅是光耦合单元，同时还充当上下电极。五、易于制备，适合做大面阵光敏元。
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公开(公告)号：CN102185025A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN102226737A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110071290.5
申请日：2011-03-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由两段指数拟合该曲线来获得表征该发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的相关系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管一次散热性和二次散热性的好坏，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102004028A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010285365.5
申请日：2010-09-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC分类号： G01M11/00
摘要： 本发明公开了一种检测半导体发光二极管封装结构有效散热性的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管封装结构有效散热性的好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由指数拟合该曲线来获得表征该封装结构有效散热性的等效散热系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管封装结构有效散热性，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102226724A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110071088.2
申请日：2011-03-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种内置电源转换电路的LED照明灯具芯片结温的检测方法，本检测方法根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律和在开启灯具电源后封装在灯具内芯片升温规律来确定LED灯具中LED芯片结温。本发明给出了具体的测量过程和测量效果。本发明方法的优点是可以直接对市场上LED产品进行检测，这类产品往往都是有内置电源转换电路的，这类电路使得常规方法需要把脉冲电源加载到灯具上的要求不能被满足。本发明就是解决了其他测量方法中需要使用特定的外部驱动电源从而与灯具内置电源转换电路相互不匹配的困难，实现了可以对市场上LED灯具产品在无需作任何变动条件下直接检测的手段。
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公开(公告)号：CN111442996A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010391538.5
申请日：2020-05-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种用于一维和二维纳米材料的微型单轴应变施加装置，包括：行程升降台，压片，衬底支撑组件，行程升降台固定支架，平板底座。通过旋转行程升降台上的旋钮来控制行程升降台的高度，进而控制压片的高度，然后再搭配两个固定的衬底支撑组件可以对条形弹性衬底形成四点的应力施加方式，进而实现对条形弹性衬底施加单轴应变的效果。其中当样品贴附在衬底上表面时，施加单轴拉伸应力；当样品贴附在衬底下表面时，施加单轴压缩应力。另外行程升降台上标有数字刻度，可以直观地控制和记录压片升降的高度。因此本发明是一个操作简单、形变量均匀可控、应变效果优良的单轴拉伸或单轴压缩应力的施加装置。
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公开(公告)号：CN104181110A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410403293.8
申请日：2014-08-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01N21/25
摘要： 本发明公开了一种基于显微镜的激光双调制光谱系统，它包括一根单模光纤、一套成像放大系统、一个半透半反片、一套激光扩束系统、一个低频斩波器、一台激光器、一套显微镜系统和一个高频斩波器。纳米材料激光双调制反射光谱测量由以下部件实现：根据激光双调制工作原理，将高频斩波器调制后的白光源经过显微镜照明系统作为探测光，低频斩波器调制后的激光扩束后作为泵浦光，然后探测光和泵浦光经过同一显微物镜作用于样品表面，单模光纤作为视场光阑放置在二次放大像面处，通过电机控制对样品面进行二维扫描，获得相关光学信号。本发明实现了纳米量级区域的光谱探测，有效地消除了背景反射光的干扰，可以应用于微纳光学领域的光学特征光谱的测量。
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公开(公告)号：CN102928194A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210405502.3
申请日：2012-10-22
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01M11/00
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法。它是基于激光辐照在碲镉汞材料上产生光生载流子，载流子扩散至离子注入n区、汞填隙扩散区和p吸收区形成的pn结处被结电场分开形成光电流信号的原理，对pn结光敏元阵列进行一维线性扫描，获得不同温度条件下电流和位置的关系曲线。曲线具有两对光电流峰，曲线的峰间间距代表了光敏元的结区宽度和pn的位置。结合数值模拟，提取获得不同温度下的离子注入区的有效陷阱浓度。本发明对长波碲镉汞红外探测器离子注入区材料优劣的判断具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN101231309B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810033719.X
申请日：2008-02-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二极管非辐射复合中心浓度的方法，该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对，来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便，无破坏性；能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测，及时推进生产工艺的改进，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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