- 专利标题： 包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构
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申请号： CN200980141580.3申请日： 2009-08-19
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公开(公告)号： CN102187458B公开(公告)日： 2016-04-20
- 发明人: 欧文·R·费伊 , 沃伦·M·法恩沃思 , 戴维·R·亨布里
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋献涛
- 优先权： 12/209,029 2008.09.11 US
- 国际申请： PCT/US2009/054313 2009.08.19
- 国际公布： WO2010/030474 EN 2010.03.18
- 进入国家日期： 2011-04-19
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065
摘要：
本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。
公开/授权文献
- CN102187458A 包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构 公开/授权日：2011-09-14
IPC分类:
