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公开(公告)号：CN119580807A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411234612.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于存储器装置的封装后修复资源。各种应用可包含一种存储器装置，其实施与所述存储器装置的控制器集成的一或多个高速缓存或缓冲器以提供封装后修复资源。所述一或多个高速缓存或缓冲器可与存储所述存储器装置的用户数据的媒体子系统分离。所述一或多个高速缓存或缓冲器的布置可包含构造在所述存储器装置的解码器‑编码器布置与所述存储器装置的所述媒体子系统之间的所述一或多个高速缓存或缓冲器。所述一或多个高速缓存或缓冲器的其它布置可包含构造在所述一或多个高速缓存或缓冲器与所述存储器装置的所述媒体子系统之间的所述存储器装置的解码器‑编码器布置。可实施布置的组合。公开额外设备、系统及方法。
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公开(公告)号：CN119580789A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411020197.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 美光科技公司
Inventor： S·艾亚普利迪
IPC: G11C11/4063 , G11C8/08 , G11C29/42
Abstract: 本申请公开用于存储器装置的半页面模式的设备、系统及方法。存储器装置可在其中沿着字线的所有存储器单元用于数据的全页面模式或其中少于所有的存储器单元用于数据的半页面模式中操作。在一些存储器装置中，所述存储器单元的每一半部可由不同字线部分单独地激活。在一些半页面模式中，可沿着所述存储器单元的选定部分存储数据且可沿着所述存储器单元的未选部分存储例如元数据或模块奇偶校验的额外信息。可沿着额外数据端子提供所述额外信息以免增加数据突发长度。
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公开(公告)号：CN117795472B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202280055363.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 美光科技公司
Inventor： S·谢里菲·德黑兰尼
Abstract: 示范性方法、设备及系统包含检测触发以更新数据完整性扫描频率。响应于检测到所述触发，获得存储器细分的年限指标或所述存储器细分的利用率值。使用所述年限指标或所述利用率值确定新数据完整性扫描频率。使用所述新数据完整性扫描频率在当前媒体扫描循环期间启动所述存储器细分的扫描。
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公开(公告)号：CN111952162B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010406642.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·A·布雷森
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本申请案涉及一种用于平面化端点确定的方法、系统及设备。可通过抵靠移动结构而移动平面化垫来对所述移动结构执行一种平面化工艺。可将液体及气体注入到集成在移动垫中的流动池中以在所述流动池中产生两相液体‑气体流，同时所述移动结构的表面接触所述两相液体‑气体流。可通过确定所述两相液体‑气体流的特性改变为预定特性来确定所述平面化工艺的端点。
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公开(公告)号：CN119562521A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411642986.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一些实施例包含一种集成组合件，其具有带有存储器阵列区及在所述存储器阵列区外围的一或多个区的半导体裸片。交替的绝缘层级及导电层级的堆叠跨所述存储器阵列区延伸且进入所述外围区中的至少一者。所述堆叠在所述裸片上产生弯曲应力。至少一个应力缓解区延伸穿过所述堆叠且经配置以减轻所述弯曲应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545804A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411132797.0
申请日：2024-08-19
Applicant: 美光科技公司
Inventor： D·A·克朗皮特
Abstract: 本公开涉及包含堆叠式数据线的半导体装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：导电触点；导电部分，其形成在所述导电触点上方；以及数据线，其定位在第一导电部分上方并且通过介电材料与所述第一导电部分分离，所述数据线由相应的导电材料层级形成；以及导电结构，其位于所述导电材料层级的一侧上。所述导电材料层级在所述设备的不同层级中在第一方向上彼此堆叠在一起。所述导电结构包含第一部分和第二部分。所述第一部分在所述第一方向上延伸并且耦合到所述导电材料层级中的一个导电材料层级。所述第二部分在第二方向上延伸并且耦合到所述导电部分。
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公开(公告)号：CN112071839B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010186390.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请涉及一种存储器阵列、集成组合件、形成位线的方法以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有通过中间空隙而彼此间隔开的位线。绝缘支撑物处于所述位线上方。导电板由所述绝缘支撑物支撑并且靠近所述位线以从所述位线排出过量电荷。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将堆叠形成为具有处于位线材料上方的绝缘材料。将所述堆叠图案化成沿着第一方向延伸的轨道。所述轨道包含作为位线的经过图案化的位线材料，并且包含作为所述位线上方的绝缘支撑物的经过图案化的绝缘材料。所述轨道沿着与所述第一方向正交的第二方向通过空隙彼此间隔开。在所述空隙内形成牺牲材料。在所述绝缘支撑物和所述牺牲材料上方形成导电板。从所述导电板下方移除所述牺牲材料以重新形成所述空隙。
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公开(公告)号：CN119512802A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411156701.4
申请日：2024-08-22
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F11/10 , G11C11/4063 , G11C29/44
Abstract: 本公开涉及存储器控制器中的行映射。行可映射到存储器中的备用行。映射可包含停止调度器将命令发布到第一组。响应于停止所述调度器将命令发布到所述第一组，逻辑可将所述第一组的特定行映射到所述备用行。所述映射可包含允许所述调度器在将所述特定行映射到所述备用行的同时调度针对第二组的命令。
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公开(公告)号：CN119512314A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411156134.2
申请日：2024-08-22
Applicant: 美光科技公司
Inventor： L·兹洛特尼科
Abstract: 本公开涉及关键时序驱动的自适应电压频率调节。用于关键时序驱动的可调整电压频率调节的示例方法可包含：在相应多个时间窗口处在芯片上系统SoC上执行多个感测操作，所述相应多个时间窗口各自与特定数据值相关联；将与所述多个时间窗口中的至少两个相应时间窗口相关联的所述特定数据值中的至少两个进行比较；响应于所述特定数据值中的所述至少两个为相同数据值，确定时钟裕度高于阈值时钟裕度；以及响应于所述特定数据值中的所述至少两个为不同数据值，确定时钟裕度低于阈值时钟裕度。在一些情况下，响应于确定所述时钟裕度高于阈值时钟裕度，可调整所述SoC的计时，可调整所述SoC的至少一个操作的电压，和/或所述SoC的至少一个操作的计时频率，以及其它可能性。
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公开(公告)号：CN113470724B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110155941.2
申请日：2021-02-04
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 藤原敬典
Abstract: 本发明涉及用于自测试模式中止电路的设备、系统及方法。存储器装置可进入自测试模式且对所述存储器阵列执行测试操作。在所述自测试模式期间，所述存储器装置可忽略外部通信。所述存储器包含中止电路，其可在所述自测试模式无法正确结束的情况下终止所述自测试模式。举例来说，所述中止电路可对自所述自测试模式开始以来的时间量进行计数，并且在所述时间量达到或超过阈值的情况下结束所述自测试模式，所述阈值可基于完成所述测试操作所需的预期时间量。
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