本发明公开了存储元件、存储装置以及存储装置操作方法。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括离子源层和可变电阻层。所述离子源层含有铝(Al)，且含有选自由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素。所述可变电阻层设置在所述离子源层与所述第一电极之间，并且含有氧化铝，还含有具有比所述氧化铝的电阻低的电阻的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者。根据本发明的存储元件、存储装置以及存储装置操作方法，由于可变电阻层含有氧化铝且含有电阻比所述氧化铝的电阻低的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者，因而能够改善存储元件和存储装置的重复耐久性。