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公开(公告)号：CN102683378A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210042751.0
申请日：2012-02-22
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，且包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。
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公开(公告)号：CN102376354A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110184419.3
申请日：2011-06-29
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L45/085 , G11C13/0007 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： 本发明公开了能够改善对由所施加的电压引起的电阻变化的可控性的存储元件和存储装置。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括设置在所述第一电极侧的电阻变化层以及设置在所述第二电极侧的离子源层，且所述离子源层的电阻值高于所述电阻变化层的电阻值。所述电阻变化层的电阻值响应于由施加到所述第一电极和所述第二电极上的电压引起的组分变化而变化。所述存储装置包括脉冲施加单元和多个存储元件，所述脉冲施加单元选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，各所述存储元件是本发明的上述存储元件。
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公开(公告)号：CN102683378B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210042751.0
申请日：2012-02-22
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，且包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。
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公开(公告)号：CN102339952A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110193088.X
申请日：2011-07-06
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0009 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 本发明提供了一种能够通过改进高电阻状态的电阻分布而增大容量的存储元件、该存储元件的驱动方法以及一种存储装置。该存储元件包括：第一电极和第二电极；以及多个电阻变化元件，它们串联地电连接于第一电极和第二电极之间，所述多个电阻变化元件的电阻值响应于对第一电极和第二电极的电压施加而可逆变化，并且相对于电压施加而可变化为相同的电阻状态。通过改进高电阻状态的电阻分布，本发明可实现容量的增大。
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公开(公告)号：CN102855929B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210210924.5
申请日：2012-06-20
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 本发明提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上并设置在电阻变化层侧，并且所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在第二电极侧。根据本发明，离子源层可免于劣化，且存储元件的耐热性提高。换言之，所形成的存储装置的可靠性高。
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公开(公告)号：CN102569335B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110399205.8
申请日：2011-12-05
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L45/14 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要： 本发明公开了存储元件、存储元件制造方法和存储装置，所述存储元件能够抑制由于存储层的劣化而导致的存储特性变差。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括含有氟化物的电阻变化层以及布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间的离子源层。或者，所述存储层包括位于所述第一电极侧的电阻变化层以及布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间的离子源层，并且所述第一电极含有氟或磷。所述存储元件制造方法包括下列步骤：形成含有氟或磷的第一电极；在所述第一电极上依次设置电阻变化层和离子源层，由此形成存储层；以及在所述存储层上形成第二电极。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件。
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公开(公告)号：CN102194512A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035461.9
申请日：2011-02-01
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L45/145 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要： 本发明公开了存储元件、存储装置以及存储装置操作方法。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括离子源层和可变电阻层。所述离子源层含有铝(Al)，且含有选自由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素。所述可变电阻层设置在所述离子源层与所述第一电极之间，并且含有氧化铝，还含有具有比所述氧化铝的电阻低的电阻的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者。根据本发明的存储元件、存储装置以及存储装置操作方法，由于可变电阻层含有氧化铝且含有电阻比所述氧化铝的电阻低的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者，因而能够改善存储元件和存储装置的重复耐久性。
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公开(公告)号：CN102194512B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110035461.9
申请日：2011-02-01
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L45/145 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要： 本发明公开了存储元件、存储装置以及存储装置操作方法。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括离子源层和可变电阻层。所述离子源层含有铝(Al)，且含有选自由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素。所述可变电阻层设置在所述离子源层与所述第一电极之间，并且含有氧化铝，还含有具有比所述氧化铝的电阻低的电阻的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者。根据本发明的存储元件、存储装置以及存储装置操作方法，由于可变电阻层含有氧化铝且含有电阻比所述氧化铝的电阻低的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者，因而能够改善存储元件和存储装置的重复耐久性。
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公开(公告)号：CN102855929A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210210924.5
申请日：2012-06-20
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 本发明提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上并设置在电阻变化层侧，并且所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在第二电极侧。根据本发明，离子源层可免于劣化，且存储元件的耐热性提高。换言之，所形成的存储装置的可靠性高。
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公开(公告)号：CN102683349A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210061233.3
申请日：2012-03-09
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0069 , G11C16/0466 , G11C16/3418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 本发明提供了一种在低电压和低电流下工作时可提高写入和擦除特性的存储元件和存储装置。所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置于第一电极侧；离子源层，其设置于第二电极侧；中间层，其设置于电阻变化层和离子源层之间；以及阻挡层，其设置于离子源层和中间层之间以及中间层和电阻变化层之间的至少一处，并且所述阻挡层包含过渡金属或其氮化物。
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