利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN102201394A 半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片 有权 转让

半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片
摘要：
本发明提供一种半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片，该半导体晶片包括：第一半导体芯片区，形成有一半导体元件；第二半导体芯片区，形成有一半导体元件；以及划片区，夹在第一半导体芯片区和第二半导体芯片区之间；其中：第一半导体芯片区包括第一金属环，该第一金属环环绕形成在第一半导体芯片区中的该半导体元件；第一金属环由多个金属层构成，多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层，并且该上侧金属层以如下方式，即以第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或位于第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在下侧金属层上方。
摘要（英）：

A semiconductor wafer includes: a first semiconductor chip area formed with a semiconductor element; a second semiconductor chip area formed with a semiconductor element; and a scribe area sandwiched between the first and second semiconductor chip areas; wherein: the first semiconductor chip area includes a first metal ring surrounding the semiconductor element formed in the first semiconductor chip area; and the metal ring is constituted of a plurality of metal layers including a lower metal layer and an upper metal layer superposed upon the lower metal layer, and the upper metal layer is superposed upon the lower metal layer in such a manner that an outer side wall of the upper metal layer is flush with the outer side wall of the lower metal layer or is at an inner position of the first semiconductor chip area relative to the outer side wall of the lower metal layer.

公开/授权文献
0/0