发明授权
- 专利标题: 发光二极管芯片及其制作方法
- 专利标题(英): Light emitting diode chip and fabrication method thereof
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申请号: CN201010132387.8申请日: 2010-03-25
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公开(公告)号: CN102201508B公开(公告)日: 2013-04-24
- 发明人: 赖志成
- 申请人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
- 专利权人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,鸿海精密工业股份有限公司
- 当前专利权人: 深圳市昭祺科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
- 主分类号: H01L33/14
- IPC分类号: H01L33/14
摘要:
本发明涉及一种具较佳发光效率发光二极管芯片,其包括一个导热基板,以及设置在该导热基板上且沿远离该导热基板的一侧依次层叠的一个半导体层、一个透明电极层、一个欧姆接触层、以及一个电极接触垫。该半导体层包括依次层叠设置在该导热基板上的一个p型半导体层、一个活性层、以及一个n型半导体层。该n型半导体层远离该导热基板的一侧具有一个阶梯面,且该n型半导体层沿远离其中心区域的方向上的厚度呈阶梯状分布且逐渐变小。该透明电极层设置在该阶梯面上。该欧姆接触层设置于该透明电极层与该n型半导体层之间,该电极接触垫与该n型半导体层的中心区域本对且设置在该透明电极层上。另外,本发明还涉及一种制作上述发光二极管的方法。
公开/授权文献
- CN102201508A 发光二极管芯片及其制作方法 公开/授权日:2011-09-28
IPC分类: