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公开(公告)号：CN118919623A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411183507.5
申请日：2024-08-27
申请人： 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的缓冲层、N‑AlGaAs电流扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层，P‑AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，有利于将外延层的空穴分布得更加均匀，生长出高质量、高均匀性的外延层，提高LED芯片的良率，同时减少吸光，有效提高发光效率和发光强度。
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公开(公告)号：CN111403564B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010243247.1
申请日：2020-03-31
申请人： 厦门乾照半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法，其中红外发光二极管外延结构包括：依次堆叠的衬底、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III‑V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。可提高发光二极管稳定性及抗老化性能。
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公开(公告)号：CN118676277B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411162496.2
申请日：2024-08-23
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括依次层叠于多量子阱层上的第一复合层、第二复合层和第三复合层；第一复合层包括依次层叠于多量子阱层上的BN层和BAsxN1‑x层；第二复合层为周期性结构，周期数为2~10，每个周期均包括依次层叠的P型GaN层、BAsyN1‑y层和P型BzGa1‑zN层；第三复合层包括依次层叠于第二复合层上的P型BαGa1‑αN层和P型InGaN层；其中，x＞y，z＞α。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，降低其工作电压。
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公开(公告)号：CN118782704A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411266770.0
申请日：2024-09-11
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，外延片依次包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括依次包括第一阶梯层和第二阶梯层；第一阶梯层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的MgN层、Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N层和P型GaN层；第二阶梯层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层、P型InGaN层和非掺杂GaN层；其中，x1≥x2，y1≤y2，P型GaN层的掺杂浓度小于P型InGaN层的掺杂浓度。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN118782703A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410997528.4
申请日：2024-07-24
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该发光二极管外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的AlN层、缓冲层、三维GaN层、未掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；在所述应力释放层与所述多量子阱层之间插入复合插入层，所述复合插入层包括周期性交替层叠设置的AlxGa(1‑x)N层、InyGa(1‑y)N层以及P型掺杂GaN层，其中，x的取值范围为0‑1，y的取值范围为0‑1，本发明能够解决现有技术中传统的LED芯片在热态下发光效率低下的技术问题。
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公开(公告)号：CN109216399B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811152566.0
申请日：2018-09-29
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本发明的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本发明的工艺流程简单、可靠。
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公开(公告)号：CN118738239A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410351517.9
申请日：2024-03-26
申请人： 日亚化学工业株式会社
发明人： 川田至孝
摘要： 本发明提供一种正向电压的上升减小且发光输出高的氮化物半导体发光元件。本申请的氮化物半导体发光元件(10)具备：第一n侧半导体层(112)；第一活性层(113)，其配置在第一n侧半导体层(112)上，具有交替配置的第一阻挡层(113b)和第一阱层(113a)；第一p侧半导体层(114)，其配置在第一活性层(113)上；第二n侧半导体层(121)，其配置在第一p侧半导体层(114)上，与第一p侧半导体层(114)相接；第二活性层(122)，其配置在第二n侧半导体层(121)上；第二p侧半导体层(123)，其配置在第二活性层(122)上。
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公开(公告)号：CN114709308B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210326616.2
申请日：2022-03-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高光效LED芯片及制备方法，该芯片包括衬底和外延层，还包括设于P型半导体层上的电流阻挡层、设于电流阻挡层上的透明导电层、设于透明导电层上的第一金属阻挡层及设于所述N型半导体层上的第二金属阻挡层、设于透明导电层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的高反射金属层以及设于高反射金属层上的第二绝缘层，高反射金属层与金属阻挡层保持绝缘；其中，第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，P型导电电极通过预设的第一导电通孔与第一金属阻挡层接触进而与P型半导体层连接，N型导电电极通过预设的第二导电通孔与第二金属阻挡层接触进而与N型半导体层连接。本发明旨在改善制作工艺，保证LED芯片的生产良率。
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