发明公开
- 专利标题: 薄膜晶体管阵列基板及其制法
- 专利标题(英): Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
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申请号: CN201110189950.X申请日: 2011-07-07
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公开(公告)号: CN102254917A公开(公告)日: 2011-11-23
- 发明人: 张骢泷 , 唐毓男 , 王晶
- 申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
- 专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人: 长沙惠科光电有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
- 代理机构: 广东国晖律师事务所
- 代理商 陈琳
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L29/786 ; H01L21/77 ; G02F1/1362 ; G02F1/1368
摘要:
本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制法。所述阵列基板包含薄膜晶体管及补偿电极。所述薄膜晶体管的栅极电极为扫描信号线的一部分并具有一开口,所述开口延伸至扫描信号线的一侧边。所述薄膜晶体管的漏极电极位置对应所述开口。所述薄膜晶体管的源极电极自数据信号线的一侧边延伸出并环绕漏极电极。补偿电极自扫描信号线的另一侧边延伸出而对应栅极电极。因此,本发明可减少漏极电极与栅极电极之间的寄生电容而不提高扫描信号线的阻值。
公开/授权文献
- CN102254917B 薄膜晶体管阵列基板及其制法 公开/授权日:2014-05-21
IPC分类: