发明授权
CN102286721B 采用磁控溅射法制备碲化镉纳米线阵列的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 采用磁控溅射法制备碲化镉纳米线阵列的方法
- 专利标题（英）： Method for preparing cadmium telluride nanowire array by using magnetron sputtering method
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申请号： CN201110249800.3申请日： 2011-08-26
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公开(公告)号： CN102286721B公开(公告)日： 2013-04-03
- 发明人: 邓元 , 罗炳威 , 王瑶 , 张志伟 , 祝薇 , 李茂 , 刘晶 , 叶慧红
- 申请人： 北京航空航天大学 , 北京航亿佳鑫科技开发有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区学院路37号
- 专利权人： 北京航空航天大学,北京航亿佳鑫科技开发有限公司
- 当前专利权人： 北京航空航天大学,北京航亿佳鑫科技开发有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区学院路37号
- 代理机构： 北京金恒联合知识产权代理事务所
- 代理商 李强
- 主分类号： C23C14/06
- IPC分类号： C23C14/06 ; C23C14/35 ; C30B23/00 ; C30B29/48 ; C30B29/62
摘要：
一种碲化镉纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括：将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上；把石英基板放置于样品台(2)上；调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围；对真空室(7)抽真空，从而使真空室(7)内的真空度达到预定值；把石英基板加热至预定温度范围，以调控碲化镉的结晶条件；向真空室(7)中充入氩气，并将氩气压强调节至预定范围，以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度，从而调节沉积速率；施加射频电流，从而调控溅射出来的碲化镉的量，从而调节沉积速率；沉积预定时间。
公开/授权文献
- CN102286721A 采用磁控溅射法制备碲化镉纳米线阵列的方法 公开/授权日：2011-12-21