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公开(公告)号:CN102286721B
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201110249800.3
申请日:2011-08-26
申请人: 北京航空航天大学 , 北京航亿佳鑫科技开发有限公司
摘要: 一种碲化镉纳米线阵列的制备方法,其特征在于包括:将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上;把石英基板放置于样品台(2)上;调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围;对真空室(7)抽真空,从而使真空室(7)内的真空度达到预定值;把石英基板加热至预定温度范围,以调控碲化镉的结晶条件;向真空室(7)中充入氩气,并将氩气压强调节至预定范围,以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度,从而调节沉积速率;施加射频电流,从而调控溅射出来的碲化镉的量,从而调节沉积速率;沉积预定时间。
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公开(公告)号:CN102286721A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110249800.3
申请日:2011-08-26
申请人: 北京航空航天大学 , 北京航亿佳鑫科技开发有限公司
摘要: 一种碲化镉纳米线阵列的制备方法,其特征在于包括:将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上;把石英基板放置于样品台(2)上;调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围;对真空室(7)抽真空,从而使真空室(7)内的真空度达到预定值;把石英基板加热至预定温度范围,以调控碲化镉的结晶条件;向真空室(7)中充入氩气,并将氩气压强调节至预定范围,以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度,从而调节沉积速率;施加射频电流,从而调控溅射出来的碲化镉的量,从而调节沉积速率;沉积预定时间。
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