发明授权
CN102289243B CMOS带隙基准源
失效 - 权利终止
- 专利标题: CMOS带隙基准源
- 专利标题(英): Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) band gap reference source
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申请号: CN201110182478.7申请日: 2011-06-30
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公开(公告)号: CN102289243B公开(公告)日: 2013-06-12
- 发明人: 王松林 , 来新泉 , 张华磊 , 赵永瑞 , 杜含笑
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 陕西电子工业专利中心
- 代理商 王品华; 朱红星
- 主分类号: G05F3/24
- IPC分类号: G05F3/24
摘要:
本发明公开了一种CMOS带隙基准源,主要解决现有技术电路复杂、版图面积大的问题。它由启动电路(1)、偏置电流产生电路(2)、基准电压产生电路(3)和输出缓冲电路(4)依次电连接构成;其中,启动电路(1)产生一个低电压输出到偏置电流产生电路和基准产生电路,以使偏置电流产生电路和基准产生电路脱离零稳态;偏置电流产生电路(2)产生一个高电压输出到基准电压产生电路和输出缓冲电路,同时反馈到启动电路,使启动电路脱离正常工作状态,并使基准电压产生电路和输出缓冲电路开始正常工作;基准电压产生电路(3)产生的基准电压经输出缓冲电路(4)输出给外部电路。本发明具有结构简单、版图面积小和失调低的特点,可广泛应用在大规模集成电路中。
公开/授权文献
- CN102289243A CMOS带隙基准源 公开/授权日:2011-12-21
IPC分类: