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与金属锗硅材料接合的衬底
摘要:
在一个实施例中,一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中,包括金属的层包围半导体器件,其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上,形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力),以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料,其中,机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下,机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。
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