发明授权
CN102292280B 与金属锗硅材料接合的衬底
失效 - 权利终止
- 专利标题: 与金属锗硅材料接合的衬底
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申请号: CN201080005182.1申请日: 2010-01-13
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公开(公告)号: CN102292280B公开(公告)日: 2015-09-23
- 发明人: 鲁本·B·蒙特兹 , 亚历克斯·P·帕马塔特
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李宝泉; 周亚荣
- 优先权: 12/356,939 2009.01.21 US
- 国际申请: PCT/US2010/020847 2010.01.13
- 国际公布: WO2010/090798 EN 2010.08.12
- 进入国家日期: 2011-07-21
- 主分类号: B81B7/00
- IPC分类号: B81B7/00 ; B81C1/00
摘要:
在一个实施例中,一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中,包括金属的层包围半导体器件,其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上,形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力),以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料,其中,机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下,机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。
公开/授权文献
- CN102292280A 与金属锗硅材料接合的衬底 公开/授权日:2011-12-21