Invention Publication
- Patent Title: 碳纳米管形成用基板、碳纳米管复合体、能量设备、其制造方法及搭载该能量设备的装置
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Application No.: CN201180000827.7Application Date: 2011-02-14
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Publication No.: CN102292288APublication Date: 2011-12-21
- Inventor: 浅利琢磨 , 熊谷裕典 , 林茂生 , 桥本泰宏 , 吉川直毅 , 冈田崇志
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳
- Priority: 2010-038646 2010.02.24 JP
- International Application: PCT/JP2011/000809 2011.02.14
- International Announcement: WO2011/105021 JA 2011.09.01
- Date entered country: 2011-07-20
- Main IPC: C01B31/02
- IPC: C01B31/02 ; B01J23/745 ; B82B1/00 ; B82B3/00 ; H01G9/058 ; H01M4/133 ; H01M4/1393 ; H01M4/587 ; H01M4/66 ; H01M10/0525 ; H01M10/0566 ; H01M10/0585 ; H01M10/0587

Abstract:
本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管,所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板,该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
Public/Granted literature
- CN102292288B 碳纳米管形成用基板、碳纳米管复合体、能量设备、其制造方法及搭载该能量设备的装置 Public/Granted day:2013-07-10
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