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公开(公告)号：CN1197172C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01142763.9
申请日：2001-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/1836 , Y02E10/541
Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15，在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A，第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1＜Eg2的关系，第1半导体层13的电子亲合力x1(eV)和第2半导体层15的电子亲合力x2(eV)满足0≤(x1-x2)＜0.5的关系，层A的平均层厚度为1毫微米以上、20毫微米以下。
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公开(公告)号：CN1350335A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01142763.9
申请日：2001-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/1836 , Y02E10/541
Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15,在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A,第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1
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公开(公告)号：CN103503100A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021151.4
申请日：2012-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G11/36 , B82Y30/00 , H01G11/22 , H01G11/28 , H01G11/66 , H01M4/625 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10S977/746 , Y10S977/948 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供一种含有碳纳米管等的由碳构成的导电性纤维作为电极活性物质、具有高容量的双电层电容器等的能量器件用电极。在具有集电体和以一端与上述集电体的表面电连接的方式而立起设置在该集电体的表面的多根导电性纤维（例如、碳纳米管）的能量器件用电极中，上述导电性纤维由碳制成，并附加有含羧基官能团、或含氧代基官能团和含羟基官能团。优选在上述导电性纤维上载持有含醌基化合物。
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公开(公告)号：CN102292288B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180000827.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01G11/36
CPC classification number: H01M4/133 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , Y10T428/23993
Abstract: 本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管，所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板，该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
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公开(公告)号：CN102292288A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201180000827.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , B01J23/745 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01G9/058 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , H01M10/0585 , H01M10/0587
CPC classification number: H01M4/133 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , Y10T428/23993
Abstract: 本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管，所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板，该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1319897A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01111902.0
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池使用包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14,光吸收层14由包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体组成。
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公开(公告)号：CN102177563B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980126577.4
申请日：2009-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供双电层电容器及其制造方法。该双电层电容器(200)，在容器内包括依次层叠正极(206)、隔板(205)和负极(207)，在正极(206)和负极(207)之间填充有电解液，其中，正极(206)和负极(207)中任一个或两个的极板包括：集电体(201、203)；和以一端与上述集电体的表面电连接的方式立设的多根导电性微细纤维(202、204)，上述极板的上述表面一侧被隔板(205)覆盖，将上述极板和隔板(205)压接成一体。在以碳纳米管等的导电性微细纤维作为活物质的双电层电容器中，通过将活物质压缩为高密度，能够提高能量密度。
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公开(公告)号：CN102177563A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980126577.4
申请日：2009-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供双电层电容器及其制造方法。该双电层电容器(200)，在容器内包括依次层叠正极(206)、隔板(205)和负极(207)，在正极(206)和负极(207)之间填充有电解液，其中，正极(206)和负极(207)中任一个或两个的极板包括：集电体(201、203)；和以一端与上述集电体的表面电连接的方式立设的多根导电性微细纤维(202、204)，上述极板的上述表面一侧被隔板(205)覆盖，将上述极板和隔板(205)压接成一体。在以碳纳米管等的导电性微细纤维作为活物质的双电层电容器中，通过将活物质压缩为高密度，能够提高能量密度。
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公开(公告)号：CN1682378A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821566.7
申请日：2003-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/046 , H01L31/0443 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池，包括导电基板和在该导电基板上设置的绝缘层、导电层和半导体层。形成通孔以穿透该绝缘层和导电层，用构成所述半导体层的半导体填充通孔。从构成所述导电基板的元素中选出的至少一种元素扩散到用于填充通孔的半导体中。
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公开(公告)号：CN1199288C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01111902.0
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池使用包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14，光吸收层14由包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体组成。
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