- 专利标题: 等离子体处理装置、基板保持机构和位置偏移检测方法
- 专利标题(英): Plasma processing apparatus, substrate holding mechanism, and method for substrate position deviation detection
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申请号: CN201110135922.X申请日: 2011-05-20
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公开(公告)号: CN102299091B公开(公告)日: 2014-09-03
- 发明人: 东条利洋 , 古屋敦城
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2010-116145 2010.05.20 JP
- 主分类号: H01L21/683
- IPC分类号: H01L21/683 ; H01L21/00 ; G01B13/00 ; H01L21/66
摘要:
本发明提供等离子体处理装置、基板保持机构、基板位置偏移检测方法,能够消除传热气体的气体流路的压力损失的影响,提高基板的位置偏移检测的精度。设置有:用于向载置台(300)与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路(352);形成在载置台的基板保持面,将来自气体流路的气体引导至基板保持面(Ls)上的多个气体孔(354);在基板保持面的气体孔形成区域(R)的外侧形成,检测施加于基板的背面的压力的多个压力检测孔(370a~370d);和与这些多个压力检测孔连接的压力传感器(380a~380d),基于来自这些压力传感器的检测压力进行基板的位置偏移检测。
公开/授权文献
- CN102299091A 等离子体处理装置、基板保持机构和位置偏移检测方法 公开/授权日:2011-12-28
IPC分类: